发明名称 |
DIODE SCHOTTKY DE PUISSANCE POUR HAUTE TENSION, AYANT UN METAL DE BARRIERE FAIT D'ALUMINIUM ET ECARTE DU PREMIER ANNEAU DIFFUSE |
摘要 |
<P>Un dispositif de Schottky de conduction du type vertical, qui présente une tension inverse nominale supérieure à 400 V, utilise de l'aluminium comme métal de barrière (31), en contact avec une surface de silicium épitaxial de type N**- (11). Un anneau de garde de type P**+ (30) diffusé entoure le contact de métal de barrière et en est écarté d'un petit intervalle (X) de façon à être complètement appauvri sous une faible tension inverse et ainsi connecter l'anneau au contact de barrière. On utilise une neutralisation du temps de vie dans le corps (10) de la diode.</P> |
申请公布号 |
FR2755794(A1) |
申请公布日期 |
1998.05.15 |
申请号 |
FR19970012920 |
申请日期 |
1997.10.15 |
申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
SPRING KYLE A;MERRILL PERRY L |
分类号 |
H01L29/47;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/47 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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