发明名称 DIODE SCHOTTKY DE PUISSANCE POUR HAUTE TENSION, AYANT UN METAL DE BARRIERE FAIT D'ALUMINIUM ET ECARTE DU PREMIER ANNEAU DIFFUSE
摘要 <P>Un dispositif de Schottky de conduction du type vertical, qui présente une tension inverse nominale supérieure à 400 V, utilise de l'aluminium comme métal de barrière (31), en contact avec une surface de silicium épitaxial de type N**- (11). Un anneau de garde de type P**+ (30) diffusé entoure le contact de métal de barrière et en est écarté d'un petit intervalle (X) de façon à être complètement appauvri sous une faible tension inverse et ainsi connecter l'anneau au contact de barrière. On utilise une neutralisation du temps de vie dans le corps (10) de la diode.</P>
申请公布号 FR2755794(A1) 申请公布日期 1998.05.15
申请号 FR19970012920 申请日期 1997.10.15
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 发明人 SPRING KYLE A;MERRILL PERRY L
分类号 H01L29/47;H01L29/872 主分类号 H01L29/47
代理机构 代理人
主权项
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