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发明名称 Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor mit doppeltem Gate und optischer Maske
摘要
申请公布号 DE69315241(T2) 申请公布日期 1998.05.14
申请号 DE1993615241T 申请日期 1993.02.23
申请人 FRANCE TELECOM, PARIS, FR 发明人 CHOUAN, YANNICK, F-22700 LOUANNEC, FR;BONNEL, MADELEINE, F-22700 SAINT QUAY PERROS, FR
分类号 G02F1/136;G02F1/1368;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):G02F1/136;H01L21/84;H01L29/772 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
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