发明名称 Mit einem selbstisolierten C/DMOS-Prozeß kompatibler CMOS-Schaltkreis bzw. Spannungsvervielfacher
摘要
申请公布号 DE3910708(C2) 申请公布日期 1998.05.14
申请号 DE19893910708 申请日期 1989.04.03
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 SKOVMAND, TIMOTHY JOHN, SAN JOSE, CALIF., US
分类号 H02M7/25;H01L27/092;H02M3/07;H03K5/02;H03K17/06;H03K17/687;H03K19/096;(IPC1-7):H01L23/58;H01L27/04 主分类号 H02M7/25
代理机构 代理人
主权项
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