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发明名称
Mit einem selbstisolierten C/DMOS-Prozeß kompatibler CMOS-Schaltkreis bzw. Spannungsvervielfacher
摘要
申请公布号
DE3910708(C2)
申请公布日期
1998.05.14
申请号
DE19893910708
申请日期
1989.04.03
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US
发明人
SKOVMAND, TIMOTHY JOHN, SAN JOSE, CALIF., US
分类号
H02M7/25;H01L27/092;H02M3/07;H03K5/02;H03K17/06;H03K17/687;H03K19/096;(IPC1-7):H01L23/58;H01L27/04
主分类号
H02M7/25
代理机构
代理人
主权项
地址
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