发明名称 | 加法电路及其布局构造 | ||
摘要 | 在加法电路中,把块进位生成逻辑和块进位传输逻辑作成小布局面积高速动作。连续3位的块进位生成逻辑,为G0=g2+p2·g1+p2·p1·g0;/G0=/p2+/g2·/p1+/g2·/g1·/g0。即,用1个P型MOS管106、2个P型MOS管104、105的串联电路3以及3个P型MOS管101、102、103的串联电路4作成上述/G0。用1个N型NOS管107、2个N型MOS管108、109的串联电路6以及3个N型MOS管110、111、112的串联电路7作成上述G0。 | ||
申请公布号 | CN1181538A | 申请公布日期 | 1998.05.13 |
申请号 | CN97121200.7 | 申请日期 | 1997.10.28 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 三好明;山本裕明;西道佳人 |
分类号 | G06F7/50;G06F17/50 | 主分类号 | G06F7/50 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1、一种加法电路,它使用多个N型MOS晶体管和多个P型MOS晶体管而构成,并用于对多位的2个数进行加法运算,其特征是,具有在上述2个数的加法运算之际,在这些数的连续的n+1(n是2以上的整数)位以上的范围内作成块进位生成逻辑G0,并从输出节点输出该块进位生成逻辑的块进位生成逻辑形成电路;上述块进位生成逻辑形成电路具备,由上述多个P型MOS晶体管构成,且具有以下式/G0=/pn+/gn·/pn-1+/gn·/gn-1·/pn-2 +/gn·/gn-1·/gn-2·/pn-3+/gn·/gn-1·/gn-2·/gn-3·/gn-4(/号表示非逻辑)表达逻辑的第1块进位生成逻辑形成部分;由上述多个N型MOS晶体管构成,且具有以下式G0=gn+pn·gn-1+pn·pn-1·gn-2 +pn·pn-1·pn-2·gn-3+pn·pn-1·pn-2·pn-3·gn-4表达逻辑的第2块进位生成逻辑形成部分。 | ||
地址 | 日本大阪府 |