| 发明名称 | 击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管 | ||
| 摘要 | 一种双极绝缘体上硅晶体管,包括具有主表面的衬底(1),所述主表面上的氧化层(2),所述氧化层(2)上具有第一导电类型的硅层(3),延伸进入所述硅层(3)具有第二导电类型的基区(4),延伸进入所述基区(4)具有第一导电类型的发射区(5),以及距所述基区(4)一段横向距离延伸进入所述硅层(3)具有所述第一导电类型的集电区(6),所述第二导电类型的插入区(8)延伸进入所述硅层(3)到达临近所述集电区(6)的所述发射区(5)相对侧的所述氧化层(2),所述插入区(8)的部分(8’)在至少部分发射区(5)下距基区(4)的下表面一段距离沿氧化层(2)的表面横向地向集电区(6)延伸,并且所述插入区电连接到所述基区(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1181842A | 申请公布日期 | 1998.05.13 |
| 申请号 | CN96193285.6 | 申请日期 | 1996.04.09 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | A·利特温;T·阿恩博格 |
| 分类号 | H01L29/73;H01L27/12;H01L23/58 | 主分类号 | H01L29/73 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王岳 |
| 主权项 | 1.一种双极绝缘体上硅晶体管，包括：—具有主表面的衬底(1)，—所述主表面上的氧化层(2)，—所述氧化层(2)上具有第一导电类型的硅层(3)，—延伸进入所述硅层(3)具有第二导电类型的基区(4)，—延伸进入所述基区(4)具有第一导电类型的发射区(5)，以及—距所述基区(4)一段横向距离延伸进入所述硅层(3)具有所述第一导电类型的集电区(6)其特征在于：所述第二导电类型的插入区(8)延伸进入所述硅层(3)直至相对于所述集电区(6)的所述发射区(5)相对侧的所述氧化层(2)，所述插入区(8)的部分(8’)在至少部分发射区(5)下沿所述氧化层(2)的表面横向地向距基区(4)一段距离的所述集电区(6)延伸，并且所述插入区电连接到所述基区(4)。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||