集成电路的制造方法

摘要

一种集成电路的制造方法。其步骤:在P型硅半导体基板上形成第一氧化硅垫层和第一氮化硅,并形成第一光阻图案,再蚀去第一氮化硅以形成第一氮化硅图案。然后,以第一光阻图案作为离子布植护罩以形成N掺杂区域。接着,形成第二光阻图案,并蚀去第一氮化硅图案以形成第二氮化硅图案,该图案位于N及P井区之间。以第二光阻图案作为离子布植护罩,在P型硅半导体基板形成P掺杂区域。再进行井区驱入以形成N及P井区,在井区驱入过程形成氧化物,使得在第二氮化硅图案跟氧化物之间形成阶梯以作为后续加工的对准标记。

主权项

1、一种集成电路的制造方法，包括以下步骤：(a)在P型硅半导体基板上形成第一氧化硅垫层和第一氮化硅；(b)利用微影技术形成第一光阻图案；(c)以所述第一光阻图案作为蚀刻护罩， 利用蚀刻技术蚀去所述第一氮化硅以形成“第一氮化硅图案”； (d)以所述第一光阻图案作为离子布植护罩，透过“第一氧化硅垫层”进行N型离子布植，以在所述P型硅半导体基板形成N掺杂区域，然后去除所述第一光阻图案；(e)利用微影技术形成第二光阻图案；(f)以所述第二光阻图案作为蚀刻护罩，利用电浆蚀刻技术蚀去所述第一氮化硅图案以形成第二氮化硅图案，而所述第二氮化硅图案的位置介于N井区跟P井区之间；(g)以所述第二光阻图案作为离子布植护罩，透过“第一氧化硅垫层”进行P型离子布值，以在所述P型硅半导体基板形成P掺杂区域，然后去除所述第二光阻图案；(h)进行井区驱入，以活化所述N掺杂区域与P掺区域，以形成N井区跟P井区，同时，井区驱入过程在所述“第二氮化硅图案”覆盖区域以外会形成氧化物；(i)去除所述“第二氮化硅图案”和“氧化物”；(j)形成第二氧化硅垫层和第三氮化硅；(K)利用微影技术形成第三光阻图案，并以所述第三光阻图案作为蚀刻护罩，利用蚀刻技术蚀去N井区跟P井区之间的所述第三氮化硅以露出所述第二氧化硅垫层，以形成“第三氮化硅图案”；在含氧气的高温环境中，以所述“第三氮化硅图案”作为氧化护罩，在露出的所述第二氧化硅垫层区域形成场氧化层。