发明名称 Verfahren zur Herstellung einer planaren Al-haltigen Schicht auf einem Substrat mit Lochstrukturen an der Oberfläche
摘要
申请公布号 DE59308367(D1) 申请公布日期 1998.05.14
申请号 DE19935008367 申请日期 1993.05.04
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 WILLER, JOSEF, DR., W-8012 RIEMERLING, DE;WENDT, HERMANN, DR., W-8011 NEUKEFERLOH, DE;LEHMANN, VOLKER, DR., W-8000 MUENCHEN 21, DE
分类号 H01L21/285;H01L21/3205;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/320 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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