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发明名称
Verfahren zur Herstellung einer planaren Al-haltigen Schicht auf einem Substrat mit Lochstrukturen an der Oberfläche
摘要
申请公布号
DE59308367(D1)
申请公布日期
1998.05.14
申请号
DE19935008367
申请日期
1993.05.04
申请人
SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE
发明人
WILLER, JOSEF, DR., W-8012 RIEMERLING, DE;WENDT, HERMANN, DR., W-8011 NEUKEFERLOH, DE;LEHMANN, VOLKER, DR., W-8000 MUENCHEN 21, DE
分类号
H01L21/285;H01L21/3205;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/320
主分类号
H01L21/285
代理机构
代理人
主权项
地址
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