动态存储器

摘要

在动态RAM中,动态存储单元设置于字线和一对位线的一根的交叉处,对应于电源电压的选择电平信号和对应于低于电路地电位的负电位的非选择电平提供给字线。由读出放大器读到成对位线的存储单元信号被放大,所述读出放大器在电路地电位和通过使电源电压降低等于地址选择MOSFET的阈值电压而形成的内部电压下工作。动态RAM具有接收电源电压和电路地电位的振荡器,及接收由振荡器产生的振荡脉冲的电路,用于产生负电位。

主权项

1·一种动态存储器，包括：动态存储单元，包括地址选择MOSFET，其栅与字线连接，其源漏通道接在与所述字线交叉的一对位线之一和信息存储电容的存储节点之间；字线选择器，用于给所述字线提供对应于外加电源电压的选择电平和对应于低于电路地电位的负电位的非选择电平；预充电电路，用于将所述成对位线设定在预定电压；读出放大器，利用通过使所述外加电源电压降低等于所述地址选择MOSFET的阈值电压而得的内部电压及所述电路地电位工作，接收读到所述成对位线中一根的信号电压与所述成对位线的另一根的预充电电压之间的电位差，并放大所述电位差，形成对应于所述内部电压和所述电路地电位的放大信号，所述预充电电压由所述成对位线中一根的预充电荷和所述动态存储单元的存储电荷的电荷分布形成；及负电压发生器，包括振荡器和接收由所述振荡器产生振荡脉冲的预充电激励电路，用于产生所述负电压。