金属氧化物场效应管与双极静电感应晶体管复合结构器件

摘要

本发明涉及一种功率半导体器件,该器件主要解决现有器件打开或关断时需提供很大栅极驱动电流的问题。采用在双极静电感应晶体管的结构上,引进功率场效应晶体管的复合结构,整个器件包括一个n⁺衬底和n^-外延层,两个铝接点7与11,外延层上设置有p⁺区和由p^-、n⁺结、多晶硅栅极9、栅氧化层6构成的栅极区。该器件具有功耗小,导通电流大之优点,是一种理想实用的功率半导体器件。

主权项

1.一种金属氧化物M管与双极静电感应晶体管Q的复合器件，包括一个n+衬底，一个n-外延层，铝接点(11)，外延层n-上分别设置p-，n+结，铝接点(11)上引出阴极K，其特征在于：①外延层n-上增设有多晶硅栅极(9)，栅氧化层(6)及由铝接点(7)，p+区，p-(4)，n+(5)构成的栅极区，铝接点(7)连接n+与p+区，栅极区构成M管；②外延层n-与栅极区的p-、n+分别构成M管的漏极、衬底和源极，外延层n-与阴极K处的p-、n+分别构成双极静电感应晶体管Q的漏极、栅极和源极；③M管的多晶硅(9)构成复合管MBSIT管的栅极G，M管的漏极与双极静电感应晶体管Q的漏极相连构成复合管MBSIT的阳极A，双极静电感应晶体管Q的源极构成复合管MBSIT的阴极K，M管的源极与双极静电感应晶体管Q的栅极相连接，以使M器件驱动双极静电感应晶体管Q。