| 主权项 |
1.一种形成一动态随机记忆体的方法,包括:提供一基底,该基底中及表面上形成有一转换场效电晶体,该转换场效电晶体包括复数个一第一源/汲极,作为复数个电荷储存电容器之复数个接触;提供一第一介电层于该基底及该转换场效电晶体上;提供一阻绝层于该第一介电层上;提供一第一牺牲层于该蚀刻阻绝层上;蚀刻穿越该第一牺牲层,该蚀刻阻绝层,及该第一介电层,形成复数个电容接触开口,曝露出该些源/汲极;提供复数个垂直导体于该些接触开口中,并提供一第一导电层于该第一牺牲层上,该些垂直导体连接该第一导电层与该些第一源/汲极;定义该第一导电层,以在侧向形成复数个第一导电翼;由该些第一导电翼下方,蚀刻移除该第一牺牲层,并于曝露出该蚀刻阻绝层时停止;提供一电容介电层于该第一导电翼上;以及提供一上电容电极于该电容介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,又包括下列步骤:提供一第二牺牲层于该第一导电层上;定义该第二牺牲层,形成复数个开口,曝露出部分该第一导电层;提供一第二导电层于该第二牺牲层上,并与该第一导电层接触;定义该第二导电层,形成第复数个第二导电侧翼;以及由该些第二导电翼及该些第一导电翼之间,移除该第二牺牲层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二牺牲层在该些电容接触开口之上。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一导电层及第二导电层包括多晶矽,以及该第一牺牲层及该第二牺牲层包括一氧化物。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中移除该第二牺牲层的步骤由一单一湿式蚀刻实施。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该单一湿式蚀刻利用一包含氟化氢之蚀刻剂进行。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中又包括形成一粗糙表面于该些第一导电翼及该些第二导电翼表面上。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中形成该粗糙表面的步骤包括沈积一半球状晶粒多晶矽于该些第一导电翼及该些第二导电翼之表面上。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该半球状晶粒多晶矽亦沈积于该蚀刻阻绝层上,形成步骤又包括回蚀该半球状晶粒多晶矽,以曝露出该蚀刻阻绝层之表面。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中回蚀该半球状晶粒多晶矽的步骤,由该些第二导电翼之上表面,完全移除了该半球状晶粒多晶矽。11.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在提供蚀刻阻绝层于该第二介电层上之前,又包括平坦化该第一介电层的步骤。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第一牺牲层利用一湿式蚀刻步骤移除。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第一牺牲层及该第一介电层皆为氧化物,而该蚀刻阻绝层为氮化矽。14.一种形成一动态随机记忆体的方法,包括:提供一基底,该基底中及表面上形成有一转换场效电晶体,该转换场效电晶体包括复数个一第一源/汲极,作为复数个电荷储存电容器之复数个接触;提供一第一介电层于该基底及该转换场效电晶体上;提供一阻绝层于该第一介电层上;提供一第一氧化层于该蚀刻阻绝层上;蚀刻穿越该第一氧化层,该蚀刻阻绝层,及该第一介电层,形成复数个电容接触开口,曝露出该些源/汲极;提供复数个垂直导体于该些接触开口中,并提供一第一多晶矽层于该第一氧化层上,该些垂直导体连接该第一多晶矽层与该些第一源/汲极;提供一第二氧化层于该第一多晶矽层上;定义该第二氧化层,以形成复数个开口,并曝露出部分的该第一多晶矽层;提供一第二多晶矽层于该第二氧化层上,并接触该第一多晶矽层;定义该第一多晶矽层及该第二多晶矽层,以在侧向分别形成复数个第一导电翼及复数个第二导电翼;蚀刻移除该第一氧化层及该第二氧化层,曝露出该些第一导电翼及该些第二导电翼,并停止于该蚀刻阻绝层;提供一电容介电层于该些第一导电翼及该些第二导电翼上;以及提供一上电容电极于该电容介电层上。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该移除该第一氧化层及该第二氧化层的步骤包括一单一湿式蚀刻步骤。16.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该单一湿式蚀刻步骤利用一氟化氢蚀刻剂实施。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中在提供该蚀刻阻绝层于该第一介电层上之前,又包括平坦化该第一介电层的步骤。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层为氮化矽。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一多晶矽层及该第二多晶矽层利用化学气相沈积法形成,且在沈积同时,加入掺杂于化学气相沈积气体源中。图示简单说明:第一图至第十图绘示出基于本发明之一较佳实施例的制造步骤。 |
