| 发明名称 |
Polysilicon/Polycide etch process for sub-micron gate stacks |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0718868(A3) |
申请公布日期 |
1998.05.06 |
| 申请号 |
EP19950116065 |
申请日期 |
1995.10.11 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
GREWAL, VIRINDER S. |
| 分类号 |
H01L21/302;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/108;(IPC1-7):H01J37/32;H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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