| 主权项 |
1.一种自我对准之复式金属镶嵌多重内连线之制造方法,系包括:于主体元件完成后,形成一内层介电质,接着于内层介电质之表面形成一第一硬罩幕层;微影、蚀刻内层介电质,定义内连线区域和介层通道区域,其中内连线区域线宽为d1.介层通道区域线宽为d2,其中d1<d2;移除光阻;沉积一厚度为d3之第二硬罩幕层,d3介于1/2d21/2d1之范围内;回蚀第二硬罩幕层,至露出第一硬罩幕层、及介层通道区域露出内层介电质;以及进行选择性蚀刻,蚀刻介层通道区域之内层介电质,至露出主体元件;依需要进行金属连线制程,而完成以自我对准方式形成复式金属镶嵌多重内连线。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中内层介电质之厚度约为0.5-1m。3.如申请专利范围第1项之方法,其中内层介电质系选自硼磷矽玻璃、硼矽玻璃、氧化矽、四乙烷氧矽等。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中第一硬罩幕层之厚度约为2000至5000埃范围。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中第一硬罩幕层系由导电性材料所构成。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中导电性材料系选自:铝、铬、镍或其各别之合金。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中第一硬罩幕层系由氮化矽所构成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中第二硬罩幕层系由导电性材料所构成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中第二硬罩幕层之厚度约为1000至2000埃范围内。10.如申请专利范围第1项之方法,其中介层通道区域线宽d2为内连线区域线宽d1之二倍以上。图示简单说明:第一图系为本发明自我对准之复式金属镶嵌多重内连线之制程程序。 |
