发明名称 磁性储存系统中保护磁头之静电放电的方法
摘要 具有磁阻(MR)感测器之MR磁头系受保护免于受到因为静电放电或是因为出现静电式充电场而产生损坏。在相邻MR感测器的导线或导电图线上设一分路,分路之点即他们紧邻在MR磁头上的终端处。可使用焊接桥作此并联。该焊接并联系在装上整体的悬吊物使MR磁头装入一磁碟驱动系统中而进入操作状态以前将之去除。此焊接并联的移除方式是回流(reflow)该焊接物,再将已回流的焊接物引出导线,以破坏该横过相邻导线之MR感测器的并联之电性连接。为助于以回流焊接方式移除并联,至少要有一经选择其几何形状的焊接叶被放置在相邻一导线的位置上。此叶包括一限制叶,以当于形成并联时限制在并联区域内的焊接,以及一指定部分,以在接下来的回流程序中,使焊接物流至远离并联区域的一指定位置上,因之得使并联内产生具体的中断,而不需要实际移除焊接材料。该并联的形式也可以是互连相邻导线的以导电材料制成的一体式桥,其移除方式是利用雷射光熔化其材料而成。
申请公布号 TW331006 申请公布日期 1998.05.01
申请号 TW085109591 申请日期 1996.08.07
申请人 万国商业机器公司 发明人 A.大卫伊皮汀;伦达乔治西蒙斯;索雅.派塔奈克
分类号 G11B5/40 主分类号 G11B5/40
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用以保护装设于一头悬吊组合体上之MR头内的MR感测器免于在将该磁头处理及组合于一磁性储存系统内期间之静电充电的损坏之方法,该MR感测器系电子式地连接到分开的第一和第二引线上,该引线有引线端点于MR头上,该方法包含下列步骤:在沿着该引线和相邻于该MR头的引线端点的位置处提供一跨过该引线之分格;和在完成处理及将该磁头组合于一磁性储存系统内之前,以一所需的过程使该分路开路。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一和第二引线是以该引线之间的引线间隔而分开,且其提供分路的步骤包括在该引线间隔上形成跨过该引线的焊接桥。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该使分路开路的步骤包括使该焊接桥回流和拉引焊料离开该引线间隔之步骤。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该形成焊接桥的步骤包括在第一引线侧和相邻该MR头的旁侧上形成一叶,该叶有一限制部分和一指定部分,且其中焊料覆盖当被施加以形成焊接桥时首先覆盖该叶的限制部分,该焊料同时也当焊接桥被回流时覆盖于该限制部分上方的指定部分,藉此而使焊料被引离该引线间距等步骤。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中回流该焊接桥的步骤包括使热导向叶的指定部分以在指定部分旁形成热梯度至该限制部分,并回流该焊接桥内的焊料,该热梯度导使来自已回流的焊接桥之焊料流向该指定部分,藉此而使该引线间隔处的焊料分散,以打开分路等步骤。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该叶的限制部分是由一初级叶所限制,且该指定部分是由一附加叶所限制,该附加叶包括一使该初级叶与该附加叶连接的具减小宽度之限制区域,且其中当焊料首先被加至初级叶上而形成焊接桥时,该焊料会因为与限制区域有关的焊料之表面张力的动作而被限制至该初级叶上。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中被施加的焊料量及该初级叶附加叶和限制区域的形状和大小被选择,以使得当焊料首先被施加以形成焊接桥时被焊料保留在初级叶上,而不会经由该限制区域而流至附加叶上,此后,在出现该热梯度时,当已回流的焊料经限制区域而流至附加叶时,焊料会因焊接桥的回流而分散在引线间隔上。8.根据申请专利范围第5项之方法,其中热是由一雷射光提供。9.根据申请专利范围第4项之方法,其中形成焊接桥的步骤尚包括将自由滞性焊料施于通过该引线间隔和叶的限制部分上,并使此自由滞性焊料回流,而形成焊接桥之步骤。10.根据申请专利范围第4项之方法,其中形成一焊接桥的步骤尚包括在第二引线及邻近该MR头的旁侧上提供一叶的步骤。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中该第二引线旁侧的叶之大小和形状被选择,使得当焊接桥回流时,焊料由该引线间隔流向限制部分时,焊料得保留在第二引线旁侧的该叶上。12.根据申请专利范围第5项之方法,其中形成该焊接桥的步骤尚包括以一焊接屏障覆盖叶以在焊接桥被设置以前先定义出该指定部分,并在之后但在回流焊接桥之前除去该焊接屏障,以露出该指定部分的步骤。13.根据申请专利范围第4项之方法,其中回流该焊接桥的步骤包括使热朝向焊接桥以回流在该焊接桥内之焊料的步骤,由该已回流的焊接桥流向指定部分的焊料而使焊接分散在该引线间隔上,以使分路开路。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中形成该焊接桥的步骤包括提供一屏障装置以在焊接桥被放置之前先定义出该指定部分,然后和回流焊接桥之前,移除该屏障装置,以露出该指定部分。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供分路的步骤包括形成一体式,使该第一和第二引线互连的桥区域之步骤。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中使分路开路的步骤包括熔化该桥区域的步骤。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中熔化作用是利用一雷射光完成。18.一种用以保护装设于一头悬吊组合体上之MR头内的MR感测器免于在将该磁头处理及组合于一磁性储存系统内期间之静电充电的损坏之方法,该MR感测器系电子式地连接到分开的第一和第二引线上,该引线有引线端点于MR头上,该方法包含下列步骤:在第一引线侧和相邻该MR头的旁侧上形成一叶,该叶有一限制部分和一指定部分;施加自由滞性焊料于该限制部分上,并越过该第一和第二引线;回流该自由滞性焊料以形成横跨第一和第二引线之焊接桥,该焊接桥在该限制部分上具有一端;和在完成处理和使该磁头组装于一磁性储存系统内之前,利用一所需的制程或组合步骤,将热导向该指定部分,以在该指定物分和限制部分之间产生一热梯度,并回流该焊接桥,该焊接桥的焊料系流向该指定部分,藉此使焊料分散于第一和第二引线之间,以中断该焊接桥。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该焊接叶之形状通常在第一和第二叶区域之间具减小宽度的限制区域,该第一叶区域是紧邻第一引线的限制部分,而第二叶区域是该指定部分。20.一种磁性储存系统包含:一具有多个用以接收资料的轨道之磁性储存媒介;一MR头,包括一MR感测器,该感测器在该MR头和该储存媒介之间作相对动作期间会维持与该磁性储存媒介相当接近的位置;一致动装置,与该MR头耦合,以使该MR头相对于该磁性储存媒介而移动至该磁性储存媒介上的选定轨道上,该致动装置包括一头部悬吊组合体,其上装设有该MR头;该头部悬吊组合体上包括有第一和第二引线,这些引线系与MR感测器电性连接且配置成相距的关系,并且在MR头上具有引线端;以及在沿第一和第二引线且邻近该引线端点的位置上使第一和第二引线互连的导电装置,以在静电充电的放电期间产生一旁路MR感测器的导电路径;和耦合该MR感测器的侦测装置,以侦测响应于由该MR感测器所截取记录于该磁性储存媒介内以资料位元形式表示的磁场,而在该MR感测器内的电阻变化。21.根据申请专利范围第20项之磁性储存系统,其中该导电装置为一焊接桥,且该头悬吊组合体尚在第一引线旁侧和邻近该引线端点的位置上包括有一焊接叶,该焊接叶有一用以应用焊料以形成横跨该引线的焊接桥之限制部分,和一用以在焊接桥回流时收集焊料的指定部分,且其中该焊接桥在该限制部分上具有一第一端和在第二引线上具有一第二端。22.根据申请专利范围第21项之磁性储存系统,其中该焊接叶之形状通常在第一和第二叶区域之间具减小宽度的限制区域,该第一叶区域是紧邻第一引线的限制部分,而第二叶区域是该指定部分,且其中该焊接桥在第一叶区域上有其第一端。23.一种用以支持一磁性储存系统内之MR头的一体式悬吊组合体,包含:用以支持一具有一MR感测器的MR头之可挠性装置;在该可挠性装置上之第一和第二引线,这些引线系与MR感测器电性连接且配置成相距的关系,并且在MR头上具有引线端;以及在沿第一和第二引线且邻近该引线端点的位置上使第一和第二引线互连的导电装置,以在静电充电的放电期间产生一旁路MR感测器的导电路径。24.根据申请专利范围第23项之一体式悬吊组合体,其中该导电装置为一焊接桥,且该头悬吊组合体尚包括一设于该第一引线旁侧且邻近该引线端点的焊接叶,该焊接叶有一用以应用焊料以形成横跨该引线的焊接桥之限制部分,和一用以在焊接桥回流时收集焊料的指定部分,且其中该焊接桥在该限制部分上具有一第一端和在第二引线上具有一第二端。25.根据申请专利范围第24项之一体式悬吊组合体,焊接叶之形状通常在第一和第二叶区域之间具减小宽度的限制区域,该第一叶区域是紧邻第一引线的限制部分,而第二叶区域是该指定部分,且其中该焊接桥在第一叶区域上具有其第一端。26.一种磁性储存系统,包含:一具有多个用以接收资料的轨道之磁性储存媒介;一MR头,包括一MR感测器,该感测器在该MR头和该储存媒介之间作相对动作期间会维持与该磁性储存媒介相当接近的位置;一致动装置,与该MR头耦合,以使该MR头相对于该磁性储存媒介而移动至该磁性储存媒介上的选定轨道上,该致动装置包括一头部悬吊组合体,其上装设有该MR头;该头部悬吊组合体上包括有第一和第二引线,这些引线系与MR感测器电性连接且配置成相距的关系,并且在MR头上具有引线端;和在第一引线旁侧和邻近该引线端点的位置上包括有一焊接叶,该焊接叶有一用以应用焊料以形成横跨该引线的焊接桥之限制部分,和一用以在焊接桥回流时收集焊料的指定部分,藉此而当于静电充电之放电期间提供一旁路MR感测器之导电路径,以及在此种焊接桥回流时收集焊料的一指定部分;和耦合该MR感测器的侦测装置,以侦测响应于由该MR感测器所截取记录于该磁性储存媒介内以资料位元形式表示的磁场,而在该MR感测器内的电阻变化。27.根据申请专利范围第26项之一磁性储存系统,其中该焊接叶之形状通常在第一和第二叶区域之间具减小宽度的限制区域,该第一叶区域是紧邻第一引线的限制部分,而第二叶区域是该指定部分,且其中该焊接桥在第一叶区域上有其第一端。28.一种用以支持一磁性储存系统内之MR头的一体式悬吊组合体,包含:用以支持一具有一MR感测器的MR头之可挠性装置;在该可挠性装置上之第一和第二引线,这些引线系与MR感测器电性连接且配置成相距的关系,并且在MR头上具有引线端;和在第一引线旁侧和邻近该引线端点的位置上包括有一焊接叶,该焊接叶有一用以应用焊料以形成横跨该引线的焊接桥之限制部分,藉此而当于静电充电之放电期间提供一旁路MR感测器之导电路径,以及在此种焊接桥回流时收集焊料的一指定部分。29.根据申请专利范围第28项之一体式悬吊组合体,焊接叶之形状通常在第一和第二叶区域之间具减小宽度的限制区域,该第一叶区域是紧邻第一引线的限制部分,而第二叶区域是该指定部分,且其中该焊接桥在第一叶区域上具有其第一端。图示简单说明:第一图所示系一实施本发明的磁碟储存系统之简化方块图。第二图所示为一支持使用在磁碟储存系统内之头的一体式悬吊体之外观图,其中之静电保护乃是根据本发明的方法而实施的。第三(a)-三(d)图所示为一体式悬吊体的部分外观图,以说明根据本发明的一实施例而实施的焊接分路之步骤。第四(a)-四(d)所示为对应第三(a)-三(d)图之一体悬吊物的MR感测区的放大外观图。第五(a)-五(d)图所示为一体悬吊物之MR感测区之放大外观图,以说明根据本发明之另一实施例的另一实施例而实施的焊接分路之步骤。第六图所示为一体悬吊物之MR感测区之放大外观图,以说明第五(d)图步骤的另一种步骤。第七(a)-七(d)图所示为一体悬吊体的感测区之放大外观图,以说明根据本发明之另一实施例而实施的导电式分路之步骤。
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