| 摘要 |
본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 스퍼터될 물질의 타겟과 웨이퍼가 든 진공챔버내에 양으로충전된 아르곤 개스를 주입시킨 다음 스퍼터링 반응을 일으켜 웨이퍼위에 금속을 증착시키는 스퍼터링 장비에 있어서, 웨이퍼 지지대(Pallet)의 아래에 진동자를 설치하여 진동자 및 웨이퍼의 상하좌우 운동을 유발시켜 증착되는 금속이온과 웨이퍼 컨택창 벽면의 증착각도를 줄임으로써, 금속의 스텝 커버리지(Step coverage)를 개선할 수 있는 효과가 있다. |
