Anordnung mit einer Ladungsverschiebungsvorrichtung, MOS-Transistoren und bipolare Transistoren, die alle auf einem einzigen Halbleitersubstrat erzeugt werden
摘要
申请公布号
DE69129129(D1)
申请公布日期
1998.04.30
申请号
DE19916029129
申请日期
1991.01.18
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP
发明人
TAGUCHI, MINORU, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP;KIHARA, KAZUO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP
