发明名称 | 不挥发逻辑电路的铁电锁存技术 | ||
摘要 | 本发明是不挥发逻辑电路的铁电锁存技术。现有电子领域逻辑电路除不挥发存储器外,均是挥发性的。本发明用两个铁电电容和两个MOS晶体管并各将它们的一个端点与锁存电路的输出及其互补输出连接构成不挥发锁存电路。本发明实现了逻辑电路的不挥发性,不挥发逻辑电路与高速不挥发存储器结合在一起可以实现不挥发数字计算机系统。 | ||
申请公布号 | CN1180265A | 申请公布日期 | 1998.04.29 |
申请号 | CN97106439.3 | 申请日期 | 1997.05.24 |
申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 陈登元;汤庭鳌 |
分类号 | H03K19/00 | 主分类号 | H03K19/00 |
代理机构 | 复旦大学专利事务所 | 代理人 | 姚静芳 |
主权项 | 1、一种用于不挥发逻辑电路的铁电锁存技术,主要由铁电电容与锁存电路组成,其特征在于两个铁电电容CF1、CF2和两个MOS晶体管,各将它们的一个端点与锁存电路的输出及其互补输出连接,两个电容的另一个端点连接在一起,构成不挥发逻辑电路。 | ||
地址 | 200433上海市邯郸路220号 |