| 发明名称 | 使用底层涂料的材料沉积方法及装置 | ||
| 摘要 | 将液体底层涂料雾化并使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。将液体前体(64)雾化,使其流入到沉积室(2)中并沉积在衬底(5)上。该底层涂料及前体被干燥并形成固体薄膜,然后该薄膜被退火并形成一集成电路(1110)中电子元件(1112)的一部分,例如另一存储器单元中的电介质。底层涂料是一种溶剂,及前体包括前体溶剂中的金属羧酸盐,金属醇盐或金属烷氧基羧酸盐。最好,底层涂料及前体的溶剂是相同的溶剂,如2－甲氧基乙醇、二甲苯类,n－乙酸丁酯及六甲基－二硅氧烷。 | ||
| 申请公布号 | CN1180447A | 申请公布日期 | 1998.04.29 |
| 申请号 | CN97190141.4 | 申请日期 | 1997.03.04 |
| 申请人 | 塞姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社 | 发明人 | 林慎一郎;拉里·D·麦克米伦;吾妻正道;卡洛斯·A·帕斯·得阿劳霍 |
| 分类号 | H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路(1110)的方法，所述方面包括以下步骤：(a)提供一种液体前体(64)；(b)将衬底(5)放置到封闭的沉积室(2)内；(c)产生所述液体前体的前体雾；(d)使所述前体雾流过所述沉积室以在所述衬底上形成所述前体液体的层；(e)对沉积在衬底上的所述液体层进行处理以形成固体材料的膜(1130)；及(f)完成所述集成电路(1110)的制造，以使所述集成电路的元件(1112)中至少包含所述固体材料膜的一部分；所述方法的特征在于还包括以下的步骤：(g)提供一种液体底层涂料；(h)产生所述液体底层涂料的雾；及(i)使所述底层涂料雾流过所述沉积室(2)以便在流过所述前体雾的步骤前在所述衬底(5)上形成所述底层涂料液体的层。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多州 | ||