| 发明名称 |
METHOD FOR GROWING P-TYPE NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10112438(A) |
申请公布日期 |
1998.04.28 |
| 申请号 |
JP19960264626 |
申请日期 |
1996.10.04 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
YANASHIMA KATSUNORI;HASHIMOTO SHIGEKI;ASAZUMA YASUNORI;IKEDA MASAO |
| 分类号 |
H01L21/205;H01S5/00;H01S5/323;(IPC1-7):H01L21/205;H01S3/18 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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