发明名称 |
PROCEDE DE COMMANDE DU DI/DT ET DU DV/DT DE COMMUTATION D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE MOS COMMANDE PAR GRILLE |
摘要 |
<p><P>Le di/dt de commutation et le dv/dt de commutation d'un dispositif de puissance MOS commandé par grille (418) sont commandés en commandant respectivement les formes d'onde de tension et de courant. Une commande en boucle ouverte du passage à l'état passant du dispositif MOS commandé par grille est assurée en couplant une borne commune d'un circuit de générateur de courant (411) qui applique un courant sur la grille du dispositif MOS à une première résistance (413) pour commander le dv/dt de commutation. Lors de la détection d'un dv/dt négatif, la borne commune du circuit de générateur de courant est alors couplée à une seconde résistance (414) pour commander le di/dt de commutation. Les première et seconde résistances sont à leur tour couplées à la borne de source pour le dispositif MOS commandé par grille. Un fonctionnement analogue assure une commande de passage à l'état bloqué du dispositif de puissance MOS commandé par grille.</P></p> |
申请公布号 |
FR2754958(A1) |
申请公布日期 |
1998.04.24 |
申请号 |
FR19970013092 |
申请日期 |
1997.10.20 |
申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
CLEMENTE STEFANO |
分类号 |
H02M3/155;G01R19/12;G01R31/26;H03K17/04;H03K17/16;H03K17/687;H03K17/695;(IPC1-7):H03K17/16;H02M1/08 |
主分类号 |
H02M3/155 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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