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发明名称
MOS(METAL-OXIDE SILICON) TRANSISTOR FOR HIGH INNER PRESSURE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
摘要
申请公布号
KR100144904(B1)
申请公布日期
1998.04.24
申请号
KR1019950008510
申请日期
1995.04.12
申请人
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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