METHOD TO DETERMINE DEPTH PROFILES IN AN AREA OF THIN COATING

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Feststellung von Tiefenprofilen im Dünnschichtbereich fester Substrate, mit folgenden Verfahrensschritten: Erzeugen eines Ionenstrahls mit einem wesentlichen Anteil von Ionen mit einem Molekulargewicht grösser als 32 und bestehend aus wenigstens 3 Atomen; Lenken des Ionenstrahls auf die Substratoberfläche, wobei die Ionen beim Auftreffen in wenigstens zwei Komponenten zerfallen und die Auftreffenergie der Einzelatome bzw. Molekülbruchstücke zum definierten Entfernen der Oberflächenschicht ausreichend ist und die Wechselwirkung der Beschussteilchen mit dem Festkörper nicht zu einem Schichtaufbau führt; definiertes Entfernen von Oberflächenschichten durch einen Ionenstrahl-Sputterprozess; Bestimmung der Konzentration der gesputterten, aus der Substratoberfläche entfernten Komponenten mittels einer Messsonde mit einem nachgeschalteten Mess- und Auswertekreis.