| 发明名称 | 电子发射膜及方法 | ||
| 摘要 | 用以形成电子发射膜(200、730、830)的方法,包括的步骤有:(i)汽相在阴极电弧淀积装置(100、600)中的石墨源(120、620)以产生碳等离子体(170、670),(ii)在石墨源(120、620)和玻璃或硅淀积基片(130、630、710、810)之间施加电位差,以加速碳等离子体(170,670)朝向淀积基片(130、630、710、810),(iii)在阴极电弧淀积装置(100、600)内提供工作气体;并且(iv)将碳等离子体(170、670)淀积到淀积表面(130、630、710、810)上面。 | ||
| 申请公布号 | CN1179617A | 申请公布日期 | 1998.04.22 |
| 申请号 | CN97120503.5 | 申请日期 | 1997.09.29 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 伯纳德·科尔;埃里克·P·迈纽;阿尔伯特·阿莱克·塔林 |
| 分类号 | H01J1/30;H01J9/02 | 主分类号 | H01J1/30 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种用于在低电场强度下发射电子并提供高密度发射点的方法，其特征在于，形成具有包括部分石墨化的纳晶体碳的膜(200，730)的电子发射表面(775)的电子发射器结构步骤。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||