| 发明名称 | 片状电阻器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有低电阻值和小ＴＣＲ的高精度片状电阻器及其制造方法。该片状电阻器包括绝缘基板，形成在该绝缘基板的至少一面之上的由Ｃｕ－Ｎｉ合金制成的电阻层，以及设置在该绝缘基板的一对端面上互相面对的端面电极，该端面电极与电阻层相连。电阻层由高温热处理含有Ｃｕ和Ｎｉ的镀膜层而成。端面电极由低温薄膜淀积技术制成。（图２） | ||
| 申请公布号 | CN1038166C | 申请公布日期 | 1998.04.22 |
| 申请号 | CN94118082.4 | 申请日期 | 1994.11.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山田博之;福冈章夫;津田清二 |
| 分类号 | H01C1/012;H01C1/14;H01C1/148;H01C7/00 | 主分类号 | H01C1/012 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种片状电阻器，包括绝缘基板，其特征在于：形成在该绝缘基板的至少一面之上的由Cu-Ni合金制成的电阻层，以及设置在该绝缘基板的一对端面上互相面对的端面电极，该端面电极与该电阻层相连。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||