| 主权项 |
1.一种形成区域性多孔矽的方法,其步骤包含:a)提供一矽基板;b)成长一砷化镓层于该矽基板上;c)于该砷化镓层上进行一微影蚀刻用以定义图案,而得之一罩幕层;以及d)形成一多孔矽层,其系以阳极氧化蚀刻该矽基板之未受该罩幕层所覆盖的表面而成。2.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该矽基板系为矽所结晶而成之一晶片。3.如申请专利范围第2项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该晶片系为P型与N型中之一。4.如申请专利范围第3项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该P型矽晶片系为一硼掺杂,基板方向(100),4偏(001),阻値为20-30-cm之基板。5.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系以一化学气相沈积方式而磊晶成长于该矽基板上。6.如申请专利范围第5项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该化学气相沈积方式系为一两阶段式有机金属化学气相沈积方式(MOCVD)。7.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系以一分子束磊晶方式(MBE)方式生长于该矽基板上。8.如申请专利范围第7项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系为一单晶薄膜。9.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系以一液态磊晶生长方式(LPE)形成于该矽基板上。10.如申请专利范围第9项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系为一单结晶膜。11.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系以一气态磊晶生长方式(VPE)形成于该矽基板上。12.如申请专利范围第11项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该砷化镓层系为一IIIA-VA族生长晶圆。13.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该微影蚀刻系藉由该罩幕层上之一面罩、而对该罩幕层进行一乾式蚀刻或一湿式蚀刻。14.如申请专利范围第13项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该面罩系为一光阻剂。15.如申请专利范围第1项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该阳极氧化蚀刻系于一氢氟酸溶液中进行一电解过程。16.如申请专利范围第15项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该氢氟酸溶液系为30%体积比(氢氟酸浓度为49%重量百分比)与70%体积比的水混合而成。17.如申请专利范围第15项所述之形成区域性多孔矽的方法,其中该电解过程所用之时间系为5分钟,其电流密度为3.5mA/cm2。图示简单说明:第一图EM(a)-(d)及(e)-(f):分别是习知氮化矽罩幕层用来形成区域性多孔矽之过程的各时段与本发明之罩幕层的未时段相比较之电子显微镜扫瞄图像;第二图EM(a)-(b):是用习知氮化矽罩幕层来形成区域性多孔矽之横剖面的电子显微镜扫瞄图像;第三图:是运用本发明之罩幕层来形成区域性多孔矽的较佳实施例示意图;第四图EM(a)-(b):是本发明之砷化镓罩幕层用来形成区域性多孔矽之横剖面的电子显微镜扫瞄图像;以及第五图:是本发明之砷化镓罩幕层所形成区域性多孔矽之光激发光谱示意图。 |
