| 主权项 |
1.一种利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,系提供一基体,该基体是在半导体基板的表面覆盖一层垫氧化层,在该垫氧化层的表面覆盖一层氮化矽层,该基体具有复数个浅渠沟,在表面与浅渠沟内回填二氧化矽材料,去除在该氮化矽层表面残留的该二氧化矽材料的制程,系包括下列步骤:a.去除在该氮化矽层表面的部份二氧化矽层,留下一特定厚度的该二氧化矽层;b.对该二氧化矽层进行化学机械研磨处理,对该二氧化矽层予以平坦化,在浅渠沟区域形成一良好的填入。2.如申请专利范围第1项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中步骤a所述去除部份二氧化矽层的方法,系指利用电浆蚀刻方法,对在该氮化矽层表面的二氧化矽层进行回蚀刻处理。3.如申请专利范围第2项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述电浆蚀刻方法系指活性离子蚀刻方法,或是电子环绕共振活性离子蚀刻方法,或是磁场增强活性离子蚀刻方法。4.如申请专利范围第1项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中步骤a所述去除部份二氧化矽层的方法,系指利用湿蚀刻方法,对在该氮化矽层表面的二氧化矽层进行回蚀刻处理。5.如申请专利范围第4项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述湿蚀刻处理所使用的蚀刻液为氢氟酸(Hydrofluoric Acid)。6.如申请专利范围第4项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述湿蚀刻处理所使用的蚀刻液为氢氟酸(Hydrofluoric Acid)与氟化氨(AmmoniumFluoride)的混合溶液。7.如申请专利范围第4项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述留下一特定厚度的该二氧化矽层,该特定厚度系介于100到500埃之间。8.一种利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,系提供一基体,该基体是在半导体基板的表面覆盖一层垫氧化层,在该垫氧化层的表面覆盖一层氮化矽层,该基体具有复数个浅渠沟,在表面与浅渠沟内回填二氧化矽材料,去除在该氮化矽层表面残留的该二氧化矽材料的制程,系包括下列步骤:a.定义一光阻层,覆盖在该基体之浅渠沟区域表面的二氧化矽层:b.以该光阻层作为蚀刻罩幕,对该二氧化矽层进行回蚀刻处理,去除在该氮化矽层表面的部份二氧化矽层,留下一特定厚度的该二氧化矽层;c.对该二氧化矽层进行化学机械研磨处理,对该二氧化矽层予以平坦化,在浅渠沟区域形成一良好的填入。9.如申请专利范围第8项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中步骤 b 所述去除部份二氧化矽层的方法,系指利用电浆蚀刻方法,对在该氮化矽层表面的二氧化矽层进行回蚀刻处理。10.如申请专利范围第9项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述电浆蚀刻方法系指活性离子蚀刻方法,或是电子环绕共振活性离子蚀刻方法,或是磁场增强活性离子蚀刻方法。11.如申请专利范围第8项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中步骤b所述去除部份二氧化矽层的方法,系指利用湿蚀刻方法,对在该氮化矽层表面的二氧化矽层进行回蚀刻处理。12.如申请专利范围第11项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述湿蚀刻处理所使用的蚀刻液为氢氟酸(Hydrofluoric Acid)。13.如申请专利范围第11项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述湿蚀刻处理所使用的蚀刻液为氢氟酸(Hydrofluoric Acid)与氟化氨(AmmoniumFluoride)的混合溶液。14.如申请专利范围第8项所述利用二氧化矽蚀刻终点法以克服对准偏移的方法,其中所述留下一特定厚度的该二氧化矽层,该特定厚度系介于100到500埃之间。图示简单说明:第一图显示在半导体基板的表面形成浅渠沟,在浅渠沟回填二氧化矽材料的剖面示意图。第二图显示对浅渠沟表面的二氧化矽层进行化学机械研磨后,在浅渠沟的上方形成凹槽,以及在氮化矽层表面残留二氧化矽层的剖面图。第三图显示在回填渠沟之二氧化矽材料的上方,形成光阻层覆盖在二氧化矽层表面的剖面示意图。第四图显示对二氧化矽材料进行回蚀刻处理,以光阻层作为蚀刻罩幕,光阻层对准偏移,在渠沟中的二氧化矽层与氮化矽层有部份受到蚀刻的剖面示意图。第五图显示对二氧化矽材料进行回蚀刻处理,在氮化矽层的表面留下一特定厚度的二氧化矽材料的剖面示意图。第六图显示在对二氧化矽材料进行回蚀刻处理之后,对二氧化矽材料进行化学机械研磨处理,形成一良好填入的浅渠沟隔离。 |
