| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,适用于形成有MOS电晶体的半导体基板上制作记忆格用电容器,而上述动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法包括下列步骤:于上述半导体基板上依序形成绝缘层及蚀刻终止层;于上述MOS电晶体之汲极区及源极区中之一者上的绝缘层及蚀刻终止层形成接触窗;于上述接触窗及蚀刻终止层上形成第一导电层;对上述第一导电层进行回蚀刻,而去除于上述蚀刻终止层上的第一导电层;于上述蚀刻终止层上形成第一牺牲层,并于上述第一牺牲层形成开口,以界定上述电容器之下电极板的范围;于上述开口及第一牺牲层上形成第二导电层;于上述第二导电层上形成第二牺牲层;对上述第二牺牲层进行回蚀刻,接着对上述第二导电层以上述第二导电层对上述牺牲层的蚀刻选择率为1:1来进行回蚀刻,而去除位于上述第一牺牲层上的第二导电层;去除上述第一牺牲层及第二牺牲层,而使位于上述接触窗内的第一导电层及第二导电层成为上述电容器的下电极板;于上述电容器的下电极板上形成介电层;以及于上述介电层上形成上述电容器的上电极板。2.如申请专利范围第1项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中上述第一导电层及第二导电层为复晶矽,而上述第一牺牲层及第二牺牲层为PETEOS。3.如申请专利范围第2项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中对上述第二导电层进行回蚀刻的条件包括:压力约为1300mTorr,功率约为700W,SF6.mboxCF4及Ar的流量分别约为20sccm、mbox60sccm及650sccm。4.如申请专利范围第3项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中对上述第二牺牲层进行回蚀刻的条件包括:压力约为800mTorr,功率约为1300W,CHF3.CF4及Ar的流量分别约为35sccm、45sccm及700sccm。5.如申请专利范围第1.2.3或4项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中上述介电层系由氧化物-氮化物-氧化物构成。6.如申请专利范围第5项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中上述蚀刻终止层为氮化物。7.如申请专利范围第6项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中上述电容器的上电极板为复晶矽。8.如申请专利范围第7项所述的动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法,其中上述绝缘层为氧化物。图示简单说明:第一图系显示动态随机存取记忆体之记忆格部份的电路图;第二图系显示用以说明习知动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法的剖面图;以及第三图系显示用以说明本发明之动态随机存取记忆体之记忆格用电容器的制造方法的剖面图。 |
