发明名称 PCMCIA电源介面
摘要 本发明揭露一种适用于PCMCIA卡之电源控制的电源界面装置,其中包括内部充电泵,用以逐渐导通该装置之内部N通道MOSfET,以及第一放电电路,用以逐渐切断该等N通道MOSFET。该第一放电电路包括使N通道MOSFET的闸极放电的MOS 电容器,而使各个N通道MOSFET的放电速度可由电容器与MOSFET之闸极的电容值的比例加以控制。一第二放电电路包括一电容器,并经由对P通道MOSFET之闸极充电而逐渐导通界面装置之内部P通道MOSFET。P通道 MOSFET之导通速度由此电容器与该MOSFET之闸极的电容值的比例加以控制。在另一实施例中,二极体箝位器用以防止界面装置之N通道MOSFET的时间相依崩溃。该等二极体箝位器形成于安装该装置之用部充电泵的基体内,以节省有用的遮蔽面积。
申请公布号 TW330256 申请公布日期 1998.04.21
申请号 TW084103129 申请日期 1995.03.31
申请人 麦可瑞尔公司 发明人 布鲁斯.亨尼
分类号 G06F1/26;G06F3/00 主分类号 G06F1/26
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种由PCMCIA电源界面装置所执行的方法,该界面 装置 包括一P通道MOSFET开关装置,该开关装置具有连接 至该 界面装置之输出接点的第一接点,并具有一开启状 态与一 关闭状态,该方法包括以下步骤:在该PCMCIA界面装 置之 一输入接点接收一电压;利用一充电电路对该P通 道 MOSFET开关装置之闸极增量地加以充电,以逐渐地导 通该 开关装置;当该开关装置处于开启状态时,经由该 开关装 置提供一电压至该界面装置之输出接点;其中该充 电电路 包括一MOS电容器,其中该开关装置之该闸极之充电 率与 该MOS电容器及该闸极之电容値之比例成正比,使该 开关 装置之导通速度与该MOS电容器之该电容値成正比 。2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括将该 开关装 置之该闸极放电以便切断该开关装置的步骤。3. 一种由PCMCIA电源界面装置所执行的方法,该界面装 置 包括一N通道MOSFET开关装置,该开关装置具有连接 至该 界面装置之输出接点的第一接点,并具有一开启状 态与一 关闭状态,该方法包括以下步骤:(1)利用一充电泵 对该 开关装置之闸极增量地加以充电,以便逐渐导通该 开关装 置;(2)当该开关装置处于该开启状态时,经由该开 关装 置提供一电压至该界面装置之输出接点;(3)利用一 放电 电路对该开关装置之该闸极增量地予以放电,以便 逐渐切 断该开关装置,其中该放电电路包括一MOS电容器, 其中 该开关装置之该闸极之放电率与该MOS电容器及该 闸极之 电容値之比例成正比,使该开关装置之切断速度与 该MOS 电容器之该电容値成正比。4.如申请专利范围第3 项之方法,其中步骤(3)进一步步 包括以下步骤:(3a)在一时钟该号的第一期间内从 该开关 装置之该闸极送出电流至该电容器,该电流以一预 定的电 荷量同时对该开关装置之该闸极放电并对该电容 器充电; (3b)在该时钟信号的第二期间内对该电容器放电, 以防止 该开关装置之该闸极进一步的放电;(3c)重覆步骤(3 a)与 (3b),直到该开关装置处于该关闭状态。5.一种提供 电压至耦接于该界面装置之输出接点的PCMCIA 电源界面装置,该界面装置包括:具有第一与第二 接点以 及一控制接点的MOSFET开关装置,该第一接点被耦接 以接 收该电压,该第二接点耦接于该输出接点;与耦接 于该开 关装置之该闸极的放电电路,该放电电路包括一电 容器, 该电容器对该开关装置之该闸极增量地予以放电 。6.如申请专利范围第5项之装置,其中该闸极之放 电率与 该电容器及该开关装置之电容値的比例成正比。7 .如申请专利范围第6项之装置,其中该放电电路进 一步 包括:具有一源极、一闸极与一汲极的第一电晶体 ,该汲 极耦接于该开关装置之该闸极,该源极耦接于该电 容器之 第一接点;具有一源极、一闸极与一汲极的第二电 晶体, 该汲极耦接于该第一电晶体之该源极,该源极耦接 于该电 容器之第二接点与一第一电位;与耦接于该第一与 第二电 晶体之该等闸极的逻辑电路,该逻辑电路控制该第 一与第 二电晶体的关闭状态,而使该电容器增量地对该开 关装置 之该闸极进行放电。8.如申请专利范围第7项之装 置,其中该开关装置为P通 道装置,该电容器逐渐导通该开关装置。9.如申请 专利范围第7项之装置,其中该开关装置为N通 道装置,该电容器逐渐切断该开关装置。10.如申请 专利范围第7项之装置,其中该第一电位为接 地电位。11.如申请专利范围第7项之装置,其中该 第一与第二电 晶体包括Nmbox通道MOSFET。12.如申请专利范围第9项 之装置,更进一步包括:一耦 接于该开关装置之该闸极的充电泵,该充电泵包括 多数个 并接的电容器,用以对该开关装置之该闸极增量地 充电, 而便该开关装置逐渐导通。13.如申请专利范围第 12项之装置,其中该开关装置之该 闸极的充电率与该等多数个电容器及该开关装置 之该闸极 的电容値的比例成正比。14.如申请专利范围第12 项之装置,更进一步包括多数个 萧特基二极体,其中各个该等多数个萧特基二极体 耦接于 该等并接电容器之相关的两个电容器之间。15.如 申请专利范围第14项之装置,其中一箝位二极体耦 接于该等多数个萧特基二极体之中的一个二极体 的阴极与 一第二电位上,该箝位二极体包括:一第二导电型 式的半 导体基体,在其一部分上形成有一第二导电型式的 埋置; 该第二导电型式的外延层,其系叠置于该埋置层与 该基体 上;该第一导电型式之绝缘区域,其系从该外延层 之顶表 面延伸并接触该埋置层,其中该绝缘区域与该埋置 层分别 当做该箝位二极体之阳极与阴极,该外延层在其一 部分上 形成一当作该萧特基二极体之阳极的金属层,该外 延层当 做该萧特基二极体的阴极。16.如申请专利范围第 15项之装置,其中该金属层包含铝 。17.如申请专利范围第15项之装置,其中该第二电 位为接 地电位。图示简单说明:第一图为本发明之PCMCIA电 源界 面装置之方块图;第二图为第一图之电源界面装置 的一部 分的示意图;第三图为本发明之充电泵的示意图; 第四图 为本发明之放电电路的示意图;第五图为本发明之 箝位二 极体的横截面图。
地址 美国