| 主权项 |
1.一种制造半导体晶圆的方法,该方法系以重复轮 换使用 一具研磨工具来研磨单导体的末端平面,和使用一 具切割 工具自单晶体切下一片半导体晶圆,在研磨时会产 生以一 种特定深度的研磨损耗,以及将半导体晶圆切割下 来的切 割平面尽可能与磨好的末端平面平行,本方法包括 :a)同 时研磨一块辅助物件的表面的一部份,该辅助物体 的表面 与单晶体的末端平面实质地位于同一平面上,以及 自辅助 物体上磨耗的材料,其厚度与单晶体的研磨损耗相 等;b) 使用该切割工具在该切割平面上切割该辅助物体, 并产生 一片其表面有部份为已磨及部份为未磨的辅助物 体切割片 段,c)测定研磨损耗,即可藉由测定辅助物体的已磨 表面 与辅助物体在研磨之前的表面之间的距离,也可藉 测定辅 助物体的切割片段上未磨部份的厚度与半导体晶 圆厚度之 间的差异。2.如申请专利范围第1项的方法,其中在 切割半导体晶圆 时,参照预定的切割平面测量切割工具的偏差,并 以此测 得的偏差为函数决定所需要的研磨损耗,该所需要 的研磨 损耗设定于研磨工具上凭以研磨单晶体的末端平 面,以及 在下一片半导体晶圆被切下之后,测定实际达到的 研磨损 耗。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该辅助物 体的已磨 表面以光度计作检视,藉此检视结果之助以衡量研 磨工具 的状况。图示简单说明:第一图为研磨单晶体末端 平面之 示意图。第二图为自单晶体切割半导体晶圆之示 意图。 |
