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发明名称 Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate vom Anreicherungstyp mit gesteuerter Anstiegszeit an der Drain-Ausgangselektrode
摘要
申请公布号 DE69223719(T2) 申请公布日期 1998.04.16
申请号 DE19926023719T 申请日期 1992.08.25
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC., CARROLLTON, TEX., US 发明人 CAROBOLANTE, FRANCESCO, PHOENIX, MARICOPA COUNTY, ARIZONA 85022, US
分类号 H01F7/18;H03F3/16;H03K17/16;H03K17/695;(IPC1-7):H03K17/16 主分类号 H01F7/18
代理机构 代理人
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