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发明名称 Method of forming self-aligned contact holes using a sacrificial polysilicon layer
摘要
申请公布号 EP0766301(A3) 申请公布日期 1998.04.15
申请号 EP19960113456 申请日期 1996.08.21
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 POSCHENRIEDER, BERNHARD;GREWAL, VIRINDER
分类号 H01L21/768;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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