| 发明名称 |
METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING A CAPACITOR WITH A POROUS SARFACE OF ELECTRODE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0131194(B1) |
申请公布日期 |
1998.04.14 |
| 申请号 |
KR19930000979 |
申请日期 |
1993.01.27 |
| 申请人 |
NEC CO. |
发明人 |
TOSHIYUKI, HIROTA;ICHIRO, HONMA;HIROHITO, WATANABE |
| 分类号 |
G06F9/06;G06F11/28;G06F11/34;H01L21/70;H01L27/10;H01L29/92;(IPC1-7):H01L27/10 |
主分类号 |
G06F9/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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