发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors
摘要
申请公布号 DE68928482(T2) 申请公布日期 1998.04.09
申请号 DE1989628482T 申请日期 1989.08.08
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 GOMI, TAKAYUKI C/O PATENTS DIVISION SONY CORP., SHINAGAWA-KU TOKYO 141, JP
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/732 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
地址