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<p>Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordung, bei der als Haftvermittler zwischen einer Edelmetallschicht, insbesondere Platinschicht (6), und einem Substrat eine Siliziumnitridschicht (4) verwendet wird. Die Siliziumnitridschicht (4) kann dabei selbst als Substrat dienen. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß zur Erhöhung des Haftvermögens der Edelmetallschicht (6) auf der Siliziumnitridschicht (4) zwischen die Siliziumnitridschicht (4) und eine Anode (5) eine Substrat-Vorspannung von etwa 250 V angelegt wird.</p> |
