在存储单元的电容器阵列上制作位线的方法

摘要

一种制作三层多晶硅层DRAM的方法,提供衬底上的两个分离转移栅间的漏极,漏极上的第一氧化硅绝缘层,有多晶硅上电极层的电容,延及漏极上的多晶硅上电极层,及金属间电介质层。在金属间电介质层中形成位线接触开口,止于漏极上的上电极层处;用各向异性多晶硅蚀刻除去漏极上的上电极层;在位线开口侧壁形成电介质间隔层;间隔层界定的位线开口以一种金属填充以接触位线。间隔层将电极层与位线隔开。间隔层容许用较小位线,使存储单元较小。

主权项

1.一种在半导体存储单元的电容上制作位线的方法，在一衬底上两个分离的转移栅之间提供一漏极区，该分离的转移栅在该漏极的相反两侧具有源极；该分离的转移栅具有内部侧壁面朝向该漏极，并具有外部侧壁面朝向该源极；且该分离的转移栅具有转移栅上表面；该衬底具有分离的场氧化物区界定出包含该源极与漏极的有源区；其步骤包含：a)在该漏极，该转移栅的该内部侧壁，与该转移栅上表面上形成至少一第一绝缘层；b)在该源极上，该转移栅的该外部侧壁，以及该转移栅上表面上形成存储电极；该存储电极形成到达该漏极的电连接；c)在该存储电极上形成一电容电介质层；d)至少在该电容电介质层，以及该第一绝缘层上形成一第一导电层；e)在该第一导电层上形成一金属间电介质层；f)在该第一金属间电介质层中，在该漏极之上形成一第一开口，曝露出该漏极上的该第一导电层；该第一开口至少以该金属间电介质层的侧壁界定；g)各向异性蚀刻在该第一接触窗内曝露出的该第一导电层；各向异性的蚀刻该漏极上曝露出的该第一绝缘层；各向异性的蚀刻也在该第一开口内为该第一导电层形成侧壁；h)在该金属间电介质层与该第一导电层的侧壁上形成电介质间隔层；并至少由该电介质间隔层界定形成一第二开口；与i)在接触该漏极的该第二开口中形一位线接触塞。