| 发明名称 | 具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法,所述半导体器件包括:其上形成有多个半导体芯片的器件区;用于将半导体芯片分成分离的半导体芯片的划片区;及绝缘层;其中间断绝缘区形成于划片区上,使器件区上的绝缘层与划片区上的绝缘层彼此断开。 | ||
| 申请公布号 | CN1178389A | 申请公布日期 | 1998.04.08 |
| 申请号 | CN97115003.6 | 申请日期 | 1997.07.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李晟珉 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L27/02 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体IC器件的方法，所述方法包括以下步骤：(a)制备具有器件区、划片区及绝缘层的半导体晶片，半导体晶片的有源表面上形成有多个半导体芯片，划片区用来将晶片上的半导体芯片分成分离芯片，绝缘层遍及晶片的有源表面形成；(b)选择地去掉划片区上的绝缘层，使绝缘层断开；及(c)沿划片区对晶片进行划片。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||