| 主权项 |
(此处原图档已坏)之材料所构成。2﹒依照请求专利部份第1项所述及之湿结陶瓷体,其中该虚导(pseudo─conductor)系比邻接薄片为薄,且暴露于该陶瓷体之表面上。3﹒依照请求专利部份第1项或第2项所述及之湿结陶瓷体,其中具有多数之虚导体(Pseudo─conductor)。4﹒依照请求专利部份前述各项中任何一项所述及之湿结陶瓷体,其中至少有某些虚导体(pseudo─conductor)系位于不同之平面上。5﹒一个包含依照请求专利部份前述各项中任何一项所述及之湿结陶瓷体且为焙烧型式之烷结单一陶瓷体(sintered,unitaiy,ceramicbody),其中有多数互相叠置之致密绝缘材料(densedielectricmaterial)薄料层(strate),至少有两该料层(strata)之邻接表面处系彼此分隔,以便在其间提供薄且大体上无阻碍之空间,用以定出该空间之该料层是与许多端缘部份连接成一整体,藉以维持该空间于该许多料层之间,另外在该陶瓷体内系具有一开口(opening)用以和该空间连通。6﹒依照请求专利部份第5项所述及之烧结体,其中在此烧结体内之该开口系位于其端缘区域内。7﹒依照请求专利部份第5项或第6项所述及之烧结体,其中有多数之分隔绝缘料层,而于其邻接表面部份间提供薄且实质上无妨碍之空间,而且该烧结体具有开口通入上述每一空间中。8﹒依照请求专利部份第7项所述及之烧结体,其中该多数之开口系位于该烧结体之端缘区域处(此处原图档已坏),该金属层之熔点是低于用以烧结该陶瓷材料之最大温度,位于该介入金属层任一侧上之料层(strata)系在该多数之端缘处连结成整体,该电容器则包括连接于该金属层之电气接头。13﹒依照请求专利部份第12项所述及之电容器,其均系置于该两叠置绝缘料层之间,而该金属层中当具有多数之该介入金属层时,每一金属层互相交互接替者系分别连接一起。14﹒依照请求专利部份第13项所述及之电容器,其中该介入金属层至少有两层系暴露于不同之面上。15﹒依照请求专利部份第13项或第14﹒项所述及之电容器,其中每一该介入金属层实质上系为连续而未中断者。16﹒一个包括依照请求专利部份第1项到第4项中任何一项所述及之湿结陶瓷体的复层线路结构基地,其系为焙烧型式,该线路结构基地中有一烧结;电气结缘及陶瓷合成之单一体,该单一体至少具有一个预定尺寸及形状且实质上无阻碍之丙槽道,此槽道至少沿伸至该单一体之一表面处,该槽道之截面对该单一体言系很小,且适于充填金属,藉以提供一内导体。17﹒依照请求专利部份第16项所述及之复层线路结构基地,其中该单一体具有多数之该内槽道,而且该槽道中至少有一个系与单一体之外部表面部份连通。18﹒依照请求专利部份第16﹒项或第17﹒项所述及之复层线路结构基地,其中该内槽道至少有两个系(此处原图档已坏)层,此薄层含有受热即逸散之材料而其面积则比紧邻之叶状体为小;该叶状体置入该堆集之安排方式系使该叶状体紧邻该薄层之端缘主要部份是彼此接触,而该薄层则系延伸至该牢固堆集之端缘区域,然后焙烧该牢固堆集以便确保该受热即逸散之材料从中移除并烧结该陶瓷合成物,藉以制成一个整体之烧结陶瓷体,此陶瓷体具有多数之致密绝缘材料薄料层,在该料层之至少两层的大部份邻接表面间系彼此分隔,藉以提供一个实质上未中断之空间,并且只在端缘部份处连接。22﹒依照请求专利部份第21项所述及之程序,在制成该牢固堆集时,其中系具有许多该薄层,每一薄层均置于邻接之叶状体间,每一该薄层之面积均比该邻接叶状体之面积为小,该叶状体之置放排列方式系使叶状体与该薄层邻接之大部份端缘是彼此接触,而互相接续之该薄层则分别延伸到该牢固堆集的不同端缘区域处,当烧结时,该堆集则形成一个整体之烧结陶瓷体,其中具有多数之致密材料薄料层(strata)该料层大多数系彼此分隔开而于其间提供实质上未中断之空间。23﹒依照请求专利部份第21项或第22项所述及之程序,其中该牢固堆集之形成是首先在用以制成该多数薄叶状体之多数薄片的每一片上提供许多空间面积,在其上涂覆该受热即逸散之材料薄层;该堆集之形成方式,系排列该多数之已涂覆薄片(coatedsheet)使其中至少有某些涂覆面积是部份重叠,然后俟该堆集固着成块状。(block)后,此块状堆集再分割成许多小体。24﹒依照请求专利部份第23项所述及之程序,其中该堆集在固着之后是先焙烧再分割成许多小体。25﹒依照请求专利部份第23项所述及之程序,其中该堆集是固着成湿结块(greenblock),此湿结块再经由数次切割而形成许多小体或小片(chips),其中该涂覆面积至少有一处是暴露于多数端缘区域之一内,然后在适当的条件下焙烧该小切片(chips),此时之温度是以移除该受热即逸散之材料及烧结该陶瓷组成物,藉此而制成整体之陶瓷烧结片,每一小切片均含有许多由致密绝缘材料构成之薄叶状体,在该小切片内之该多数叶状体的大部份邻接表面是彼此分隔,以便在其间提供实体上毫无阻碍之空间,此空间则延伸至该小片之端缘区域,该彼此分隔开之叶片只在端缘部份处连接。26﹒用以制造依照请求专利部份第16﹒项所述及之复层线路结构基地的程序,其中系制成一个含有许多相当薄之薄片的牢固堆集;上述之薄片是以细分割之陶瓷材料经由受热即逸散之接着剂黏着而成,多数之该薄片具有预定之设计线路于其上,该线路设计均由含有受热即逸散之材料的组合物所形成,并且在该堆集内是由该薄片所分隔开,接着加热该牢固堆集以便移除该受热即逸散之材料,并且制成一个烧结陶瓷基地,其内具有与该设计线路互相对应之空间。27﹒依照请求专利部份第26项所述及之程序,其中该设计线路是由受热即逸散之材料层所形成,此些材料层系置入于两该薄片之间,而该薄片是由细分割之陶瓷材料经由该受热即逸散之接着剂黏着构成,该材料层具有一个或一个以上之孔隙或开口贯穿于预定之位置处,以便导入金属于其内。28﹒由依照请求专利部份第5项所述及之烧结陶瓷体制成电容器(capacitor)之程序,其中电导材料是经由该开口而导入该薄空间内。29﹒由依照请求专利部份第16﹒项所述及之复层线路结构基地制成复层线路结构之程序,其中之电导材料系引入该内槽道中。30﹒依照请求专利部份第28项或第29项所述及之程序,其中该电导材料系为金属。31﹒一电容器,其中有许多叠置之绝缘料层和金属层,该绝缘料层是由致密之烧结陶瓷材料所构成并在多数端缘部份处连接成一整体,该金属层至少有一层介入于邻接之两该料层对间,该金属介入层之熔点是比用以烧结该绝缘陶瓷材料之最高温度为低;此外,此电容器亦具有用以连接该金属层之电气接头。32﹒一个复层线路结构,其中有一个由烧结之绝缘陶瓷组成物所构成之相当薄单一体,该单一体至少有一内部电导体置于预定大小形状之槽道中,此槽道是延伸至该单一体之至少一表面上,且其截面积对该单一体言系非常地小,该电导金属之熔点是比用以烧结该陶瓷组成物所须之最高温度为低。 |
