发明名称 Method for fabricating phase inverted mask
摘要 A method of fabricating a phase inverted mask comprising the steps of forming a shielding layer pattern on a substrate, injecting oxygen ions into a surface of the shielding layer pattern, and converting the shielding layer pattern having the oxygen ions injected therein into an oxidation layer to thereby form a phase inverted layer.
申请公布号 US5736276(A) 申请公布日期 1998.04.07
申请号 US19960657610 申请日期 1996.05.31
申请人 LG SEMICON CO., LTD. 发明人 KIM, YOUNG GWAN;HAN, HYUN KYU
分类号 G03F1/08;G03F1/00;G03F1/29;G03F1/68;H01L21/027;(IPC1-7):G03F9/00 主分类号 G03F1/08
代理机构 代理人
主权项
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