Verfahren zur Bildung dielektrischer Oxynitridschichten bei der Herstellung integrierter Schaltungen
摘要
申请公布号
DE69405438(T2)
申请公布日期
1998.04.02
申请号
DE19946005438T
申请日期
1994.03.16
申请人
AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US
发明人
KIM, YOUNG OCK, MARLBORO, NEW JERSEY 07746, US;MANCHANDA, LALITA, ABERDEEN, NEW JERSEY 07747, US;WEBER, GARY ROBERT, WHITEHOUSE STATION, NEW JERSEY 08889, US
