发明名称 使用薄膜罩之曝光装置
摘要 本创作提供可以施行高精确度之模样转印之印刷电路基板之曝光装置。本创作之装置系施行薄膜罩F与印刷电路基板K之位置吻合调整后,锁紧夹头10与保持器20。其次,对于间隙G导入空气而膨胀之加压薄膜P使薄膜罩F接触而薄膜罩F由中心部向外侧密合于印刷电路基板K,点光源7而曝光。
申请公布号 TW329340 申请公布日期 1998.04.01
申请号 TW086209914 申请日期 1993.09.25
申请人 亚多特克工程股份有限公司;佳能组件股份有限公司 发明人 永井章;田中稔
分类号 H01L21/27;H05K3/00 主分类号 H01L21/27
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种使用薄膜罩之曝光装置,具备支持薄膜罩;施 行 该薄膜罩与曝光对象之位置吻合调整后,使两者密 合 之装置;膨胀收缩可能之加压薄膜;使该加压薄膜 膨 胀而向前述薄膜罩推压,使前述薄膜罩向印刷电路 基 板密合之加压装置;以及向该薄膜罩照射之曝光用 光 源装置, 为特征者。2.如申请专利范围第1项之使用薄膜罩 之曝光装置,具备 薄膜罩与印刷电路基板之位置吻合调整装置者。3 .如申请专利范围第1项之使用薄膜罩之曝光装置, 前述 加压薄膜为,其一面侧形成空间,经由流体导入该 空 间而膨胀,前述加压装置为具备,流体源;该流体源 送来之流体高速向前述空间供给之高速供给装置; 该 流体源送来之流体由预定压力向前述空间供给之 微压 供给装置,该空间之流体由高速排出之高排出装置 ; 以及侦测该空间之流体压力之装置者。4.如申请 专利范围第1项之使用薄膜罩之曝光装置,前述 加压薄膜为,在其一面侧形成空间,经由该空间导 入 流体而膨胀,前述加压装置为,具备流体源;以及该 流体源送出之流体高速向前述空间供给之高速供 给装 置;以及侦测前述空间之流体压力之装置;以及前 述 空间之流体压力小于预定値时,该流体源送出之流 体 可以由预定之微压向前述空间供给之微压供给装 置; 以及前述空间之流体压力大于预定値时,前述空间 之 流体可以高速排出之高速排出装置者。5.如申请 专利范围第1项之使用薄膜罩之曝光装置,前述 加压薄膜为,在其一面侧形成空间,经由该空间导 入 流体而膨胀,前述加压装置为,具备流体源;以及该 流体源送出之流体高速向前述空间供给之高速供 给装 置;以及该流体源送出之流体由预定压力向前述空 间 供给之微压供给装置;以及前述空间之流体由高速 排 出之高速排出装置;以及侦测前述空间之流体压力 之 装置;以及输入前述装置侦测之空间之流体压力, 该 流体压力小于预定値时,由该流体源送出之流体由 预 定之微压向前述空间供给之方式控制前述微压供 给装 置,该空间之流体压力大于预定値时前述空间之流 体 由高速排出之方式控制前述高速排出装置之控制 装置 为特征者。6.如申请专利范围第1项之使用薄膜罩 之曝光装置,具备 薄膜罩与被曝光对象之位置吻合调整时该薄膜罩 与被 曝光对象之间形成气体层之装置者。7.如申请专 利范围第6项之使用薄膜罩之曝光装置,前述 形成气体层之装置,亦即为向薄膜罩与基板之间吹 入 气体之装置。8.如申请专利范围第1项之使用薄膜 罩之曝光装置,具备 载置被曝光对象之基台,以及施行该基台上之被曝 光 对象之载置位置之位置决定之位置决定阻止片,以 及 形成于前述位置阻止片,被曝光对象与薄膜罩之位 置 吻合调整时,向该薄膜罩与被曝光对象之间吹入气 体 所需之气体层形成用孔者。图示简单说明: 第一图为表示本创作一实施例之正面图, 第二图为表示本创作之其他实施例之正面图, 第三图为本创作之其他实施例之正面图, 第四图为表示本创作其他实施例之方块图, 第五图为表示本创作之其他实施例中高速供气装 置之其他例之方块图, 第六图为表示本创作之其他例之正视图, 第七图为表示本创作之其他实施例之平面图, 第八图为表示本创作之其他实施例之部分正视图 。
地址 日本