| 发明名称 | 半导体晶片热处理设备 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种制造半导体器件的晶片热处理设备,用以改善随晶片直径增大处理的质量和均匀性。半导体晶片热处理设备包括:构成封闭空间的处理室;安装在处理室内的基座,用于固定晶片;安装在基座上的热阻加热器,用于加热基座安装在处理室顶上的灯,用于将处理室内温度升至处理时所需温度;安装在处理室的一侧上的气体注入器,用于向处理室内供应气体;及安装在气体注入器上的气体加热器,用于预热供应到处理室内的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN1177830A | 申请公布日期 | 1998.04.01 |
| 申请号 | CN97113067.1 | 申请日期 | 1997.05.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜声勋;高永洛;李贞圭 |
| 分类号 | H01L21/324;H01L21/477 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨松龄 |
| 主权项 | 1、一种半导体晶片热处理设备，包括：构成封闭空间的处理室；安装在所述处理室内的基座，用于在其上安装晶片；安装在所述基座上的热阻加热器，用于加热所述基座；安装在所述室上部内的灯，用于将所述处理室内温度升至处理所需温度；安装在所述处理室一侧上的气体注入器，用于给所述处理室内供应气体；及安装在所述气体注入器上的气体加热器，用于预热将供给所述处理室内的气体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||