具有电容器的半导体存储器件的制造方法

摘要

有电容器的半导体存储器件制造方法:在基片上形成第一绝缘层,盖住转移晶体管;在第一绝缘层上形成柱状层在该两层上交互形成绝缘材料的第一导电材料的第二膜层,构图第二膜层分开柱状层上方部分。形成第一导电层,穿过第二和第一膜层、第一绝缘层,与转移晶体管的漏极和源极区之一电连接,第一导电层和第二膜层构成存储电容器的存储电极。去除柱状层和第一膜层。在第一导电层和第二膜层露出表面上,形成介电层。在介电层表面上,形成第二导电层构成存储电容器的相对电极。

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中半导体存储器件包括一基片、形成在基片上的一转移晶体管、以及一存储电容器电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上。该制造方法包括下列步骤：a.在该基片上形成一第一绝缘层，覆盖住该转移晶体管；b.在该第一绝缘层上形成一具有一凹口的柱状层，c.在该柱状层表面和该第一绝缘层上，形成一第一导电层；d.使该第一导电层构成图形，分开其位于柱状层上方的部分；e.形成一第二层电层，穿过至少该第一导电层和第一绝缘层，与该转移晶体管的漏极和源极区之一电连接，该第二导电层构成一类树干状导电层，而该第一导电层则构成一类树枝状导电层，它包括一似L形剖面的部分，该似L形剖面部分的一末端连接在该类树干状导电层的外表面上，该第一和第二导电层构成该存储电容器的一存储电极；f.去除该柱状层；g.在该第一和第二导电层曝露出的表面上，形成一介电层；以及h.在该介电层的一表面上，形成一第三导电层以构成存储电容器的一相对电极。