| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement, bestehend aus einem Halbleiterkörper (1) mit mindestens einer Drainzone (2, 8) vom ersten Leitungstyp, mit mindestens einer Sourcezone (3, 3') vom ersten Leitungstyp, mit mindestens einer Gate-Elektrode (4), wobei diese gegenüber dem gesamten Halbleiterkörper (1) durch ein Gateoxid (14) isoliert ist, mit einem Bulkbereich (10) vom ersten Leitungstyp, wobei, sich der Sourceanschluß (S) an der Scheibenrückseite (12) befindet, und der Drainanschluß (D) und der Gateanschluß (G) sich an der Scheibenvorderseite (11) befinden. <IMAGE> |
