具有电容器的半导体存储器件的制造方法

摘要

具有电容器的半导体存储器件制造方法:在基片上形成第一绝缘层,盖住转移晶体管;形成第一导电层,穿过第一绝缘层,与转移晶体管漏极和源极区之一连接。在第一导电层上形成柱状层,在柱状层面和第一层电层上交互形成第一、第二膜层。构图第二膜层,分开其在柱状层上部分,构图第二膜层、第一膜层与第一导电层,形成孔。在孔侧壁形成第二导电层,第一、第二导电层与第二膜层构成存储电容器的存储电极。去除柱状层与第一膜层,在第一、第二导电层和第二膜层露出面上,形成介电层。在介电层的面上,形成第三导电层构成存储电容器的相对电极。

主权项

1、一种具有电容器的半导体存储器件的制造方法，其中该半导体存储器件包括一基片、形成在基片上的一转移晶体管、以及一存储电容器电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该制造方法包括下列步骤：a.在基片上形成一第一绝缘层，覆盖住转移晶体管；b.形成一第一导电层，穿过至少该第一绝缘层，与该转移晶体管的该漏极和源极区之一电连接；c.在该第一导电层上形成一柱状层；d.在该柱状层表面和该第一导电层上，形成一第二导电层；e.构图该第二导电层，分开其位在柱状层上方的部分；f.构图该第二导电层与该第一导电层，形成一开口；g.在该开口侧壁形成一中空筒状的第三导电层，连接于该第一导电层的周边，该第三导电层与该第一导电层构成一类树干状导电层，而该第二导电层的一末端连接在该第三导电层的内表面上，构成一类树枝状导电层，且该第一、第二和第三导电层构成该存储电容器的一存储电极；h.去除该柱状层；i.在该第一、第二和第三导电层曝露出的表面上，形成一介电层；以及j.在该介电层的一表面上，形成一第四导电层以构成存储电容器的一相对电极。