| 发明名称 | 氮化镓晶体的制造方法 | ||
| 摘要 | 为降低氮化镓晶体内的位错密度和可以进行解理,在硅衬底上形成碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体之后,只将硅衬底在诸如氢氟酸和硝酸之类混合的酸溶液中除去。接着,在留下来不除去的碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN1177655A | 申请公布日期 | 1998.04.01 |
| 申请号 | CN97117796.1 | 申请日期 | 1997.08.27 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 油利正昭;上田哲三;马场孝明 |
| 分类号 | C30B29/38 | 主分类号 | C30B29/38 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种制造氮化镓晶体的方法，其特征在于，先后在半导体衬底上形成晶格常数都与所述半导体衬底不同的半导体薄膜和第一氮化镓晶体，将所述半导体衬底除去之后，在所述第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||