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发明名称 Insulated-gate field effect transistor and method for driving thereof
摘要
申请公布号 GB9802209(D0) 申请公布日期 1998.04.01
申请号 GB19980002209 申请日期 1998.02.02
申请人 SONY CORPORATION 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L21/84;H01L27/02;H01L27/12;H01L29/10;H01L29/786 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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