| 主权项 |
1.一种铜金属镶崁式(damascene)内连导线之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上形成有第一层金属导线;依序形成一第一介电层和一第二介电层,覆盖在该半导体基底和该第一层金属导线上;以适当蚀刻程序分别在该第二介电层中形成一凹槽,供容纳后续之第二层导线,以及在该凹槽范围内的该第一介电层中形成一接触窗(via),以露出部分该第一层金属导线,共同构成一镶崁式开口构造;形成一阻障金属/铜晶种层(barrier metal/Cu seed layer),覆盖在该镶崁式开口和该第二介电层露出的表面上;去除该阻障金属/铜晶种层位于该第二介电层之空旷区域上方的部分,仅留下其在该镶崁式开口与其邻近部分上方者;以及以一电镀程序(electroplating)在该阻障金属/铜晶种层的表面上形成一铜金属层作为第二导电层,用以填满该凹槽和该接触窗,完成镶嵌式内连导线的制造。2.如申请专利范围第1项所述一种铜金属镶崁式内连导线之制造方法,其中该第一介电层系一电浆加强化学气相沈积程序(PECVD)所沈积的氧化物层。3.如申请专利范围第1项所述一种铜金属镶崁式内连导线之制造方法,其中该第二介电层的材质为伸芳基醚聚合物【poly(arylene ether)polymer】。4.如申请专利范围第1项所述一种铜金属镶崁式内连导线之制造方法,其中该阻障金属的材质系氮化钛(TiN)。5.如申请专利范围第1项所述一种铜金属镶崁式内连导线之制造方法,其中该阻障金属的材质系钽金属(Ta)。6.如申请专利范围第1项所述一种铜金属镶崁式内连导线之制造方法,其中该阻障金属的材质系氮化钽(TaN)。7.如申请专利范围第1项所述一种铜金属镶崁式内连导线之制造方法,其中去除该阻障金属/铜晶种层位于该第二介电层之空旷区域上方部分的步骤系包括:涂布一光阻层覆盖在该阻障金属/铜晶种层上;施行一微影成像程序以定义出该光阻层的图案,留下位在该镶嵌式开口与其邻近部分上方者;利用该光阻层当作罩幕,蚀刻该阻障金属/铜晶种层至露出该第二介电层为止;以及去除该光阻层。图式简单说明:第一图A至第一图C均为剖面图,显示习知铜金属镶崁式内连导线构造的制造流程;第二图A至第二图C均为剖面图,显示依据本发明之改良制程一较佳实施例的制造流程;以及第三图系一上视图,显示本发明改良制程的一个步骤,说明位于第二介电层上方之阻障金属/铜晶种层所需去除的部分。 |
