| 主权项 |
1.一种用于制造半导体装置的方法包含有:形成绝缘膜于半导体基板上并形成复数个下导线于该绝缘膜上的步骤(A);使用电浆辅助化学气相沈积法形成具有凸出形状的第一绝缘膜以覆盖下导线与绝缘膜表面的步骤(B);使用旋涂法形成含有机物涂覆绝缘膜于第一绝缘膜上的步骤(C);烘烤该含有机物涂覆绝缘膜的步骤(D);使用乾式蚀刻法回蚀部份的含有机物涂覆绝缘膜的步骤(E);使用电浆辅助化学气相沈积法形成第二绝缘膜于第一绝缘膜与含有机物涂覆绝缘膜上的步骤(F);使用化学机械研磨法研磨第二绝缘膜以将表面平坦化的步骤(G)。2.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法更包含有;在步骤(G)后,蚀刻部份的该第一绝缘膜与该第二绝缘膜以形成连至该下导线的孔洞的步骤(H);以及将金属材料埋入该孔洞中的步骤(I)。3.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:进行该步骤(E)中的该回蚀,以使得形成于该下导线上的该含有机物涂覆绝缘膜完全被移除。4.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:进行该步骤(E)中的该回蚀,以使得形成于该下导线上的该含有机物涂覆绝缘膜完全被移除。5.一种用于制造半导体装置的方法包含有:形成绝缘膜于半导体基板上并形成复数个下导线于该绝缘膜上的步骤(A);使用电浆辅助化学气相沈积法形成具有凸出形状的第一绝缘膜以覆盖下导线与绝缘膜表面的步骤(B);使用旋涂法形成第一含有机物涂覆绝缘膜于第一绝缘膜上的步骤(C);使用旋转移除法移除部份的第一含有机物涂覆绝缘膜的步骤(D);烘烤该第一含有机物涂覆绝缘膜的步骤(E);使用旋涂法形成第二含有机物涂覆绝缘膜于第一绝缘膜及第一含有机物涂覆绝缘膜上的步骤(F);烘烤该第二含有机物涂覆绝缘膜的步骤(G);使用乾式蚀刻法回蚀部份的第一含有机物涂覆绝缘膜及第二含有机物涂覆绝缘膜的步骤(H);使用电浆辅助化学气相沈积法形成第二绝缘膜于第一绝缘膜、含有机物涂覆绝缘膜及第二含有机物涂覆绝缘膜上的步骤(I);以及使用化学机械研磨法研磨第二绝缘膜以将表面平坦化的步骤(J)。6.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法更包含有:在步骤(J)后,蚀刻部份的第一绝缘膜与第二绝缘膜以形成连至下导线的孔洞的步骤(K);以及将金属材料埋入孔洞中的步骤(L)。7.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:进行步骤(H)中的回蚀,而使得形成于介层孔所形成于其上之该下导线上的含有机物涂覆绝缘膜完全被移除。8.如申请专利范围第6项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:进行步骤(H)中的回蚀,而使得形成于介层孔所形成于其上之该下导线上的含有机物涂覆绝缘膜完全被移除。9.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法更包含有;在步骤(B)与该步骤(C)间,一以溅射蚀刻该第一绝缘膜的步骤。10.如申请专利范围第2项之一种用于制造半导体装置的方法更包含有;在该步骤(B)与该步骤(C)间,一以溅射蚀刻该第一绝缘膜的步骤。11.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法更包含有:在该步骤(B)与该步骤(C)间,一以溅射蚀刻该第一绝缘膜的步骤。12.如申请专利范围第6项之一种用于制造半导体装置的方法更包含有;在该步骤(B)与该步骤(C)间,一以溅射蚀刻该第一绝缘膜的步骤。13.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:在该步骤(B)中形成该第一绝缘膜的该电浆辅助化学气相沈积法系使用矽烷(SiH4)及氧气或含氧化合物做原料。14.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:在该步骤(B)中形成该第一绝缘膜的该电浆辅助化学气相沈积法系使用矽烷(SiH4)及氧气或含氧化合物做原料。15.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:该第一绝缘膜系为表面氧化的二氧化矽膜。16.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:该第一绝缘膜系为表面氮化的二氧化矽膜。17.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:该第一绝缘膜系为氮氧化矽膜。18.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:该第一绝缘膜系为氮氧化矽膜。19.如申请专利范围第1项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:该下导线的最小间距为0.5m或更小。20.如申请专利范围第5项之一种用于制造半导体装置的方法,其中:该下导线的最小间距为0.5m或更小。图式简单说明:第一图A至第一图C系为表示第一个传统方法之步骤的横截面图;第二图A至第二图C系为表示第二个传统方法之步骤的横截面图;第三图A至第三图G系为表示根据本发明之第一个较佳实施例中之制造半导体装置的方法的步骤的横截面图;第四图A至第四图C系为表示根据本发明之第二个较佳实施例中之制造半导体装置的方法的步骤的横截面图;第五图系为表示根据本发明之第三个较佳实施例中之制造半导体装置的方法的步骤的横截面图;以及第六图系为表示根据本发明之第四较佳实施例中之制造半导体装置的方法的步骤的横截面图。 |
