| 主权项 |
1.一种保护层的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成一第一金属线和一第二金属线;于该第一金属线和该第二金属线上形成共形的一磷矽玻璃层;于该磷矽玻璃层上形成共形的一绝缘层,其中该第一金属线和该第二金属线之间的区域,且未被该绝缘层填满处具有一锁洞;以及于该绝缘层上形成一旋涂式玻璃层,且至少填满该锁洞。2.如申请专利范围第1项所述之保护层的制造方法,其中该第一金属线和该第二金属线的材质包括铜、铝和铝铜合金其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之保护层的制造方法,其中该绝缘层包括氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之保护层的制造方法,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为500埃至1000埃。5.如申请专利范围第1项所述之保护层的制造方法,其中形成该旋涂式玻璃层之后,更包括一混烧步骤,该混烧步骤系用以使该旋涂式玻璃层固化。6.如申请专利范围第5项所述之保护层的制造方法,其中该混烧步骤的温度约400℃。7.一种保护层的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成一第一金属线和一第二金属线;于该第一金属线和该第二金属线上形成共形的一磷矽玻璃层;于该磷矽玻璃层上形成共形的一第一绝缘层,其中该第一金属线和该第二金属线之间的区域,且未被该第一绝缘层填满处具有一锁洞;以及于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,且至少填满该锁洞。8.如申请专利范围第7项所述之保护层的制造方法,其中该第一金属线和该第二金属线的材质包括铜、铝和铝铜合金其中之一。9.如申请专利范围第7项所述之保护层的制造方法,其中该第一绝缘层包括氮化矽层。10.如申请专利范围第7项所述之保护层的制造方法,其中该第二绝缘层包括一旋涂式玻璃层。11.如申请专利范围第10项所述之保护层的制造方法,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为500埃至1000埃。12.如申请专利范围第10项所述之保护层的制造方法,其中形成该旋涂式玻璃层之后,更包括一混烧步骤,该混烧步骤系用以使该旋涂式玻璃层固化。13.如申请专利范围第12项所述之保护层的制造方法,其中该混烧步骤的温度约400℃。14.一种保护层的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成一第一金属线和一第二金属线;于该第一金属线和该第二金属线上形成共形的一磷矽玻璃层;于该磷矽玻璃层上形成共形的一氮化矽层,其中该第一金属线和该第二金属线之间的区域,且未被该氮化矽层填满处具有一锁洞;于该氮化矽层上形成一旋涂式玻璃层,且至少填满该锁洞;以及于该氮化矽层和该旋涂式玻璃层上形成一聚亚醯胺层。15.如申请专利范围第14项所述之保护层的制造方法,其中该第一金属线和该第二金属线的材质包括铜、铝和铝铜合金其中之一。16.如申请专利范围第14项所述之保护层的制造方法,其中该旋涂式玻璃层的厚度约为500埃至1000埃。17.如申请专利范围第14项所述之保护层的制造方法,其中形成该旋涂式玻璃层之后,更包括一混烧步骤,该混烧步骤系用以使该旋涂式玻璃层固化。18.如申请专利范围第17项所述之保护层的制造方法,其中该混烧步骤的温度约400℃。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示传统式保护层之制造流程的剖面图;以及第二图A至第二图E系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种保护层之制造流程的剖面图。 |
