| 主权项 |
1.一种中孔性矽石,该矽石的中孔比表面积至少是 500平方公尺/克,而其中孔体积至少是 1.0毫升/克。2.如申请专利范围第1项之中孔性矽石 ,具有一或多项下列之特性: 中孔比表面积至少为1000平方公尺/克, 中孔体积至少为1.5毫升/克,以及 最大中孔直径分布至少为3毫微米。3.一种制备中 孔性矽石的方法,该方法将二氧化矽前驱体于含水 之反应介质中转换,其中反 应介质包含一种高分子分散剂。4.如申请专利范 围第3项之方法,其中高分子分散剂为阳离子性。5. 如申请专利范围第3项之方法,其中所使用的二氧 化矽前驱体的形式是有机矽化合物或矽 盐,或系为水玻璃或焦化二氧化矽之型式。6.如申 请专利范围第1或2项之中孔性矽石,并另外含有至 少一种选自下列之元素:Al、B、 Ge、元素周期表第IIIa、IIb、IVb、Vb或VIb族之元素 、Be、Sn、Pb、Bi、Cu、Fe、Co、Ni 、Ce或Mn、药学活性物质、酵素、颜料或以上之混 合物。7.如申请专利范围第1或2项之中孔性矽石, 可用以制备模制品、作为触媒或触媒载体或药学 活性物质、酵素及颜料。8.如申请专利范围第1或2 项之中孔性矽石,其系用作涂层材料或模制品中之 一组成份。9.如申请专利范围第1或2项之中孔性矽 石,其系用作触媒中之载体或活性物质。图式简单 说明: 第一图显示一种根据实例之方法所得到的新颖中 孔性矽石的透射电子显微图, 第二图显示一种实例中所制得的中孔性矽石的氮 等温吸附线,及 第三图显示一种实例中所制得的中孔性矽石之X射 线绕射图。 |
