| 主权项 |
1.一种互接组件,包含:一可挠曲线层,具有多个第一接触元件;及一流体容纳结构,连接至可挠曲线层,其中,当流体容纳于流体容纳结构内时,可挠曲线层向存在于该组件中时之测试下之装置推压,以达成可挠曲线层之第一接触元件及测试下之装置之对应第二接触元件间之电互接。2.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,流体容纳结构包含:一室,适于接受流体。3.如申请专利范围第2项所述之互接组件,其中,该流体为一液体或一气体之至少之一,且其中,测试下方之装置包含积体电路(IC),且其中,多个互接元件电连接第一接触元件及对应之第二接触元件。4.如申请专利范围第2项所述之互接组件,其中,可挠曲线层具有一厚度,俾在流体及测试下之装置之间获得一可接受之热传导。5.如申请专利范围第2项所述之互接组件,其中,非接触面上且与流体相通之之可挠曲线层之表面区用以安装多个电测试装置,用以测试该测试下之装置。6.如申请专利范围第2项所述之互接组件,其中,非接触面上且不与流体相通之可挠曲线层之一表面区用以安装多个电测试装置,用以测试该测试下之装置。7.如申请专利范围第1项所述之互接组件,另包含一支持板,当可挠曲线层向测试下之装置推压时,用以支持测试下之装置,且其中,测试下之装置包含一半导体晶圆,含有多个积体电路。8.如申请专利范围第7项所述之互接组件,另包含:多个固定装置,用以固定流体容纳结构,可挠曲线层,及支持板一起,且其中,支持板可挠曲。9.如申请专利范围第8项所述之互接组件,其中,多个固定装置另包含一O密封环,用以密封流体容纳结构及可挠曲线层之间。10.如申请专利范围第7项所述之互接组件,其中,流体之温度受控制。11.如申请专利范围第7项所述之互接组件,其中,支持板具有多个空腔用以接受流体或气体之至少之一。12.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,可挠曲线层包含多个层,多个层之至少二个具有导线。13.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,多个第一接触元件连接至一测试装备,此接受来自测试下之装置之信号。14.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,第一接触元件2包含多个弹性自立之接触元件。15.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,第二接触元件包含多个弹性自立之接触元件,及测试下之装置包含多个停止结构。16.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,流体引进于流体容纳结构中,及流体之压力使可挠曲线层变形。17.如申请专利范围第14项所述之互接组件,其中,可挠曲线层包含至少一停止结构。18.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,第二接触元件包含多个弹性自立之接触元件。19.一种互接组件,包含:一可挠曲线层,具有多个第一接触端;一半导体基体,具有多个第二接触端;及多个自立之弹性接触元件电连接至可挠曲线层或半导体基体之一,多个自立之弹性接触元件达成对应之第一接触端及第二接触端间之电接触。20.如申请专利范围第19项所述之互接组件,另包含:一室,连接至可挠曲线层,并具有一液体或一气体之至少之一,此推压可挠曲线层向半导体基体。21.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,半导体基体另包含至少一停止结构,此界定可挠曲线层及基体间之一最小分离。22.如申请专利范围第20项所述之互接组件,其中,可挠曲线层具有一厚度,俾液体或气体之至少之一及半导体基体间获得可接受之热传导。23.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,可挠曲线层之一表面区用以安装多个电测试装置,用以测试半导体基体。24.如申请专利范围第19项所述之互接组件,另包含:一支持板,用以支持半导体基体。25.如申请专利范围第24项所述之互接组件,另包含:多个固定装置,用以固定可挠曲线层及支持板一起。26.如申请专利范围第24项所述之互接组件,其中,支持板具有多个空腔用以接受液体或气体之至少之一。27.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,可挠曲线层包含多个层,多个层之至少之二具有导线。28.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,多个第一接触端连接至一测试装备,此接受来自测试下之装置之信号。29.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,多个自立之弹性接触元件机械连接至对应之多个第二接触端。30.如申请专利范围第29项所述之互接组件,其中,半导体基体另包含至少一停止结构,此界定可挠曲线层及半导体基体间之最小分开。31.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,半导体基体包含一半导体积体电路。32.如申请专利范围第19项所述之互接组件,其中,半导体基体包含一半导体晶圆,具有多个半导体积体电路。33.一种制造电互接组件之方法,该方法包括:连接一可挠曲线层及一基体接近一起,可挠曲线层具有多个第一接触端,及基体具有多个第二接触端;产生一压力差于可挠曲线层之第一面及第二面之间,俾使可挠曲线层变形,并使第一接触端电连接至对应之第二连接端。34.如申请专利范围第33项所述之方法,其中,该基体为半导体基体,此包含一半导体积体电路。35.如申请专利范围第33项所述之方法,其中,该基体为半导体基体,此包含一半导体晶圆,具有多个积体电路。36.如申请专利范围第33项所述之方法,其中,该基体为一电连接介面。37.如申请专利范围第33项所述之方法,其中,该压力差由引进一流体于可挠性线层之第一面上产生。38.如申请专利范围第34项所述之方法,其中,该压力差由在可挠曲线层之第一面上抽气成真空气造成。39.如申请专利范围第37项所述之方法,另包含:控制该流体之温度。40.如申请专利范围第39所述之方法,其中,该流体为液体或气体之一,及该连接连接基体及可挠曲线层密切接近一切。41.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,监视半导体基体之温度,并反应半导体基体之温度而控制流体之温度。42.如申请专利范围第34项所述之方法,其中,多个自立之弹性接触元件电连接第一接触端之一至第二接触端之对应一个。43.如申请专利范围第42项所述之方法,其中,可挠曲线层或基体包含至少一停止结构,此界定可挠曲线层及基体间之最小分开。44.如申请专利范围第34项所述之方法,另包含:转移来自基体之信号自第一接触端至一测试装备。45.如申请专利范围第44项所述之方法,其中,该基体在预烧程序中测试。46.一种电互接组件,包含:一可挠曲基体,具有多个第一电接触元件;及一真空室,连接至可挠曲基体,该真空室吸引可挠曲基体向测试下之装置,以达成第一电拉触元件及测试下之装置上之对应第二电接触元件间之电互接。47.如申请专利范围第46项所述之电互接组件,另包含一板支持测试下之装置。48.如申请专利范围第46项所述之电互接组件,其中,测试下之装置包含一半导体积体电路。49.如申请专利范围第3项所述之互接组件,其中,多个互接元件包含多个弹性自立之接触元件,且其中,多个第一接触元件为多个第一接触垫,及对应之第二接触元件为多个第二接触垫。50.如申请专利范围第49项所述之互接组件,其中,多个互接元件机械连接至对应之多个第一接触垫。51.如申请专利范围第49项所述之互接组件,其中,多个互接元件机械连接至对应之第二接触元件。52.如申请专利范围第3项所述之互接组件,另包含至少一动程停止结构连接至可挠曲线层或存在于该组件中时之测试下之装置之一。53.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,可挠曲线层包含电导体,用以自可挠曲线层之第一面上之第一接触元件传导至可挠曲线层之一第二面。54.如申请专利范围第1项所述之互接组件,其中,可挠曲线层具有一厚度,此充分薄而可在压力下变形,且充分厚而不致在压力下在可挠曲线层之局部区域中变形。55.一种互接组件,包含:一可挠曲基体,用以支持存在于组件中时之一测试下之装置;一线层,具有多个第一接触元件;一流体室,连接至可挠曲基体,其中,当流体容纳于流体容纳室内时,且当测试下之装置由可挠曲基体支持时,可挠曲基体向线层推压测试下之装置,以达成线层之第一接触元件及测试下之装置上之对应第二接触元件间之电互接。56.如申请专利范围第55项所述之互接组件,其中,流体为液体或气体之至少之一,且其中,测试下之装置包含一积体电路,且其中,多个互接元件形成电互接。57.如申请专利范围第56项所述之互接组件,其中,多个互接元件包含多个弹性自立之接触元件,且其中,第一接触元件为多个第一接触垫,及对应之第二接触元件为多个第二接触垫。58.如申请专利范围第56项所述之互接组件,其中,多个互接元件机模式连接至对应之第一接触垫。59.如申请专利范围第56项所述之互接组件,其中,多个互接元件机械连接至对应之第二接触元件。60.如申请专利范围第56项所述之互接组件,另包含至少一动程停止结构连接至线层或存在于组件中时之测试下之装置之一。图式简单说明:第一图显示使用伸缩囊来驱迫半导体晶圆与刚性线基体接触之一互接组件之例。第二图显示用以经由使用真空达成一基体,诸如半导体晶圆及一刚性线基体间之电互接之组件之另一例。第三图显示用以制造一基体,此可为半导体晶圆及一线基体间之电互接之一组件之另一例。第四图A显示可在探测操作中用以控测半导体晶圆之一可挠曲探测装置之一例。第四图B显示使用可挠曲探测装置来执行晶圆探测操作之一组件之一例。第四图C显示使用先行技艺之互接组件会如何产生一失败之连接。第五图为断面图,显示本发明之一实施例之互接组件。第六图A为断面图,显示本发明之互接组件之另一实施例。第六图B为断面图,显示本发明之互接组件之另一实施例。第六图C为部份视图及断面图,显示依本发明之一实施例使用之一电互接组件之一例。第六图D为断面图,显示本发明之一可挠曲线层可如何变形,以达成电互接,而不管表面及/或接触元件之不规则。第七图A显示本发明之电互接组件之另一实施例。第七图B显示第七图A所示之可挠曲线层之顶视图。第八图显示本发明之另一例之部份图。 |
